[發明專利]附接到半導體晶片的具有通孔的無機晶片

在審

• 申請號: 201780041430.X
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN109417031A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 小丹尼爾·W·萊韋斯克;G·A·皮希;A·B·肖里
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/48;H01L23/15;H01L23/498
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳潔;姬利永

1.一種過程，包括：

使用發射光波長的激光在結合到半導體晶片的無機晶片中形成損傷軌跡，其中所述半導體對所述光波長是不透明的，并且所述無機晶片對所述光波長是透明的；以及

通過蝕刻擴大所述無機晶片中的所述損傷軌跡以形成穿過所述無機晶片的孔，所述孔終止于所述半導體晶片和所述無機晶片之間的界面處。

2.根據權利要求1所述的過程，其中所述半導體晶片是裸半導體晶片。

3.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述半導體晶片是硅晶片。

4.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中利用蝕刻劑執行所述蝕刻，所述蝕刻劑以第一速率蝕刻所述無機晶片并且以第二速率蝕刻所述半導體晶片，并且所述第一速率是所述第二速率的至少10倍。

5.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述無機晶片在室溫下具有至少10⁵Ω-m的電阻率，并且在室溫下針對0.5mm的厚度具有至少1kV的擊穿電壓。

6.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述無機晶片由選自由鋁-硼硅酸鹽玻璃、熔融石英和藍寶石組成的組中的材料制成。

7.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述無機晶片的厚度為10μm至1mm。

8.根據權利要求7所述的過程，其中所述無機晶片的厚度為50μm至250μm。

9.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述損傷軌跡終止于所述界面處。

10.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述損傷軌跡在到達所述界面之前終止于所述無機晶片內。

11.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述激光通過產生延伸聚焦的光學器件來發送，并且所述延伸聚焦在所述無機晶片中形成所述損傷軌跡。

12.根據權利要求11所述的過程，其中所述延伸聚焦包括：

焦線，和

多個焦點。

13.根據權利要求12所述的過程，其中所述半導體晶片對由所述激光發射的所述光波長足夠不透明以破壞所述延伸聚焦。

14.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述激光是短脈沖激光。

15.根據權利要求14所述的過程，其中所述激光是串脈沖激光。

16.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述光波長選自由257nm、266nm、343nm、355nm、515nm、530nm、532nm、1030nm和1064nm組成的組。

17.根據前述權利要求中任一項所述的過程，還包括通過陽極結合將所述半導體晶片結合到所述無機晶片。

18.根據前述權利要求中任一項所述的過程，還包括將所述半導體晶片結合到所述無機晶片，其中結合包括形成到所述半導體晶片和所述無機晶片中的至少一個的表面改性層。

19.根據前述權利要求中任一項所述的過程，還包括：

金屬化所述孔。

20.根據前述權利要求中任一項所述的過程，其中所述孔在所述無機晶片的相對于所述界面的表面處的直徑為4μm至100μm。