[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片及半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780040556.5
• 申請(qǐng)日: 2017-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109417060B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杉浦和彥;巖重朝仁;河合潤(rùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社電裝
• 主分類號(hào): H01L23/373
• 分類號(hào): H01L23/373;H01L23/36;H01L23/40;H01L23/58;H01L23/62;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 呂文卓

1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，具有電極部(19、24)的半導(dǎo)體芯片(2)的該電極部與接合部件(5～7)電連接，電流經(jīng)由所述接合部件而流過(guò)所述半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體裝置的特征在于，

具備所述半導(dǎo)體芯片、以及與所述電極部電連接的所述接合部件，

所述接合部件包含保護(hù)材料而構(gòu)成，該保護(hù)材料，其電阻率的溫度系數(shù)為正，在將比所述半導(dǎo)體芯片被損壞的損壞溫度低的規(guī)定溫度設(shè)為閾值溫度時(shí)，比所述閾值溫度高的溫度側(cè)的電阻率的溫度系數(shù)大于比所述閾值溫度低的溫度側(cè)的電阻率的溫度系數(shù)，

所述接合部件構(gòu)成為，包含所述保護(hù)材料，并且包含與所述保護(hù)材料相比電阻率低的基礎(chǔ)材料，

所述接合部件構(gòu)成為，具有由所述保護(hù)材料構(gòu)成的保護(hù)層(30b)和由所述基礎(chǔ)材料構(gòu)成的基礎(chǔ)層(30a)，

所述接合部件層疊所述保護(hù)層和所述基礎(chǔ)層而構(gòu)成，

在所述保護(hù)層與所述基礎(chǔ)層的層疊方向上，所述接合部件的所述基礎(chǔ)層相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述接合部件構(gòu)成為，在所述半導(dǎo)體芯片的平面方向上，所述保護(hù)層和所述基礎(chǔ)層被分割而配置。

3.一種半導(dǎo)體裝置，其中，具有電極部(19、24)的半導(dǎo)體芯片(2)的該電極部與接合部件(5～7)電連接，電流經(jīng)由所述接合部件而流過(guò)所述半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體裝置的特征在于，

具備所述半導(dǎo)體芯片、以及與所述電極部電連接的所述接合部件，

所述接合部件包含保護(hù)材料而構(gòu)成，該保護(hù)材料，其電阻率的溫度系數(shù)為正，在將比所述半導(dǎo)體芯片被損壞的損壞溫度低的規(guī)定溫度設(shè)為閾值溫度時(shí)，比所述閾值溫度高的溫度側(cè)的電阻率的溫度系數(shù)大于比所述閾值溫度低的溫度側(cè)的電阻率的溫度系數(shù)，

所述接合部件構(gòu)成為，包含所述保護(hù)材料，并且包含與所述保護(hù)材料相比電阻率低的基礎(chǔ)材料，

所述接合部件構(gòu)成為，具有由所述保護(hù)材料構(gòu)成的保護(hù)層(30b)和由所述基礎(chǔ)材料構(gòu)成的基礎(chǔ)層(30a)，

所述接合部件構(gòu)成為，在所述半導(dǎo)體芯片的平面方向上，所述保護(hù)層和所述基礎(chǔ)層被分割而配置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述接合部件層疊所述保護(hù)層和所述基礎(chǔ)層而構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述基礎(chǔ)材料是銀，

所述保護(hù)材料是金屬氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

具有第一散熱部件(1)和夾著所述半導(dǎo)體芯片而配置在所述第一散熱部件的相反側(cè)的第二散熱部件(4)，

所述半導(dǎo)體芯片，在所述第一散熱部件側(cè)形成有作為所述電極部的第一電極(24)，并且在所述第二散熱部件側(cè)形成有作為所述電極部的第二電極(19)，

所述接合部件配置在所述第一散熱部件與所述第一電極之間而將所述第一散熱部件與所述第一電極電連接，并且配置在所述第二散熱部件與所述第二電極之間而將所述第二散熱部件與所述第二電極電連接。

7.一種半導(dǎo)體芯片，具有電極部(17、19、20、21、24)并且形成有半導(dǎo)體元件，其特征在于，

所述電極部包含保護(hù)材料而構(gòu)成，該保護(hù)材料，其電阻率的溫度系數(shù)為正，在將比所述半導(dǎo)體元件被損壞的損壞溫度低的規(guī)定溫度設(shè)為閾值溫度時(shí)，比所述閾值溫度高的溫度側(cè)的電阻率的溫度系數(shù)大于比所述閾值溫度低的溫度側(cè)的電阻率的溫度系數(shù)，

所述電極部構(gòu)成為，包含所述保護(hù)材料并且包含與所述保護(hù)材料相比電阻率低的基礎(chǔ)材料，

所述電極部構(gòu)成為，具有由所述保護(hù)材料構(gòu)成的保護(hù)層(30b)和由所述基礎(chǔ)材料構(gòu)成的基礎(chǔ)層(30a)，

所述電極部層疊所述保護(hù)層和所述基礎(chǔ)層而構(gòu)成，

在所述保護(hù)層與所述基礎(chǔ)層的層疊方向上，所述電極部的所述基礎(chǔ)層相連接。