[發(fā)明專(zhuān)利]電子存儲(chǔ)器設(shè)備及其操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780040226.6
• 申請(qǐng)日: 2017-06-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109416654B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張屹華;P·E·曼加林丹;雷建飛;A·D·普勒斯肖德;G·A·克賴(lài)費(fèi)爾斯
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F11/10
• 分類(lèi)號(hào): G06F11/10
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請(qǐng)針對(duì)錯(cuò)誤校正碼ECC事件檢測(cè)。在用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元的感測(cè)期間，可通過(guò)錯(cuò)誤校正碼操作檢測(cè)所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤?？赏ㄟ^(guò)在輸出節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生可測(cè)量信號(hào)，在硬件中指示所述錯(cuò)誤。舉例來(lái)說(shuō)，所述輸出節(jié)點(diǎn)處的電壓可從第一值改變到第二值。監(jiān)控所述輸出節(jié)點(diǎn)的裝置可以至少部分地基于所述輸出節(jié)點(diǎn)處所述信號(hào)的所述改變，確定一組數(shù)據(jù)已發(fā)生錯(cuò)誤。

交叉參考

本專(zhuān)利申請(qǐng)要求2017年6月6日提交的標(biāo)題為“錯(cuò)誤校正碼事件檢測(cè)(ErrorCorrection Code Event Detection)”的第PCT/US2017/036194號(hào)PCT申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，所述PCT申請(qǐng)要求由Zhang等人在2016年6月29日提交的標(biāo)題為“錯(cuò)誤校正碼事件檢測(cè)(ErrorCorrection Code Event Detection)”的第15/197,446號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，這些文獻(xiàn)中的每一個(gè)轉(zhuǎn)讓給本受讓人，且這些文獻(xiàn)中的每一個(gè)的全文以引用的方式明確地并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本技術(shù)領(lǐng)域涉及錯(cuò)誤校正碼(ECC)事件檢測(cè)。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器裝置廣泛用以將信息存儲(chǔ)在例如計(jì)算機(jī)、無(wú)線(xiàn)通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器等各種電子裝置中。通過(guò)編程存儲(chǔ)器裝置的不同狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)信息。舉例來(lái)說(shuō)，二進(jìn)制裝置具有兩個(gè)狀態(tài)，通常標(biāo)示為邏輯“1”或邏輯“0”。在其它系統(tǒng)中，可存儲(chǔ)大于兩個(gè)狀態(tài)。為了存取所存儲(chǔ)的信息，電子裝置可讀取或感測(cè)存儲(chǔ)器裝置中的所存儲(chǔ)狀態(tài)。為存儲(chǔ)信息，電子裝置可能將狀態(tài)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器裝置中。

存在各種類(lèi)型的存儲(chǔ)器裝置，包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory；RAM)、只讀存儲(chǔ)器(read only memory；ROM)、動(dòng)態(tài)RAM(dynamic RAM；DRAM)、同步動(dòng)態(tài)RAM(synchronous dynamic RAM；SDRAM)、鐵電RAM(ferroelectric RAM；FeRAM)、磁性RAM(magnetic RAM；MRAM)、電阻性RAM(resistive RAM；RRAM)、閃存存儲(chǔ)器等。存儲(chǔ)器裝置可以是易失性或非易失性的。非揮發(fā)性記憶體(例如，NOR閃存存儲(chǔ)器和NAND閃存存儲(chǔ)器)可能在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，甚至在不存在外部電源的情況下依然如此。易失性存儲(chǔ)器裝置，例如DRAM，除非被外部電源定期刷新，否則可能隨時(shí)間推移而丟失其存儲(chǔ)的狀態(tài)。易失性存儲(chǔ)器的某些特征可提供性能優(yōu)點(diǎn)，例如較快速讀取或?qū)懭胨俣?，而非易失性存?chǔ)器的特征，例如存儲(chǔ)數(shù)據(jù)而無(wú)需定期刷新的能力可為有利的。

需要穩(wěn)定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)和裝置可能使用高度可靠的閃存存儲(chǔ)器類(lèi)型，例如NOR閃存存儲(chǔ)器。雖然NOR閃存存儲(chǔ)器是高度可靠的，但是可能存在出現(xiàn)錯(cuò)誤的一些情況。依賴(lài)于NOR閃存存儲(chǔ)器的裝置可能不了解錯(cuò)誤，并且可能如同無(wú)錯(cuò)誤一般處理數(shù)據(jù)，這可能不利地影響裝置的操作。

發(fā)明內(nèi)容

描述一種操作電子存儲(chǔ)器設(shè)備的方法。所述方法可包含：從所述電子存儲(chǔ)器設(shè)備的讀取操作識(shí)別碼字；至少部分地基于與所述碼字相關(guān)的錯(cuò)誤校正碼(ECC)操作來(lái)檢測(cè)所述碼字中的錯(cuò)誤；以及將指示所述錯(cuò)誤檢測(cè)的信號(hào)發(fā)射到所述電子存儲(chǔ)器設(shè)備的節(jié)點(diǎn)。

描述操作電子存儲(chǔ)器設(shè)備的另一方法。所述方法可包含：感測(cè)所述電子存儲(chǔ)器設(shè)備的一組存儲(chǔ)器單元的每個(gè)單元的狀態(tài)；檢測(cè)與所述組存儲(chǔ)器單元的所述所感測(cè)狀態(tài)相關(guān)的錯(cuò)誤；響應(yīng)于所述錯(cuò)誤檢測(cè)，將所述電子存儲(chǔ)器設(shè)備的節(jié)點(diǎn)的電壓從第一值改變到第二值；以及至少部分地基于改變所述節(jié)點(diǎn)的所述電壓，指示已檢測(cè)到所述錯(cuò)誤。

描述一種電子存儲(chǔ)器設(shè)備。所述電子存儲(chǔ)器設(shè)備可包含：包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器陣列；與所述存儲(chǔ)器陣列電子通信的錯(cuò)誤校正碼(ECC)陣列；鎖存器，其與所述ECC陣列電子通信，并且可操作以至少部分地基于所述ECC陣列的讀取操作改變輸出狀態(tài)；以及輸出引腳，其與所述鎖存器電子通信，其中在所述輸出引腳處可測(cè)量的電壓是至少部分地基于所述鎖存器的所述輸出狀態(tài)。