[發明專利]在納米孔測序測定池中抵消滲透不平衡

有效

• 申請號: 201780039743.1
• 申請日: 2017-06-27
• 公開（公告）號: CN109313178B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: J.科馬迪納;G.巴拉爾;M.羅耶克
• 申請（專利權）人: 豪夫邁·羅氏有限公司
• 主分類號: G01N33/487
• 分類號: G01N33/487;C12Q1/6874;C12Q1/6869
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 權陸軍;黃希貴

1.分析分子的方法，所述方法包括：

形成脂雙層，該脂雙層將第一儲蓄器與第二儲蓄器分開，其中所述第一儲蓄器具有第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度，且其中所述第二儲蓄器具有第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度；

使電解質溶液流到所述第一儲蓄器，其中所述電解質溶液具有與所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度不同的電解質溶液摩爾滲透壓濃度，從而引起所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度與所述第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度的比率的第一次改變；和

穿過所述脂雙層施加電壓，其中所述脂雙層包括納米孔，并且其中所述電壓引起所述第一儲蓄器和所述第二儲蓄器之間的離子的凈轉移，從而引起所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度與所述第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度的比率的第二次改變，其中比率的所述第一次改變和比率的所述第二次改變基本上相互抵消。

2.權利要求1的方法，其中在流動電解質溶液之前，所述第一儲蓄器的容積具有最初值，其中所述第一次改變所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度與所述第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度的比率引起水流過脂雙層，從而引起對所述第一儲蓄器容積的第一次改變，其中所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度與所述第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度的比率的第二次改變引起水流過脂雙層，從而引起對所述第一儲蓄器容積的第二次改變，并且其中對所述第一儲蓄器容積的第一次改變基本上抵消對所述第一儲蓄器容積的第二次改變。

3.權利要求1的方法，其中所述第一儲蓄器和所述第二儲蓄器之間的離子的凈轉移包括離子從所述第二儲蓄器到所述第一儲蓄器的凈流出。

4.權利要求3的方法，其中離子從所述第二儲蓄器到所述第一儲蓄器的凈流出增加所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度與所述第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度的比率，并且其中使電解質溶液流到所述第一儲蓄器減小所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度與所述第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度的比率。

5.權利要求1的方法，其中所述第一儲蓄器和所述第二儲蓄器之間的離子的凈轉移包括離子從所述第一儲蓄器到所述第二儲蓄器中的凈流入。

6.權利要求1的方法，其進一步包括：

在電解質溶液流到所述第一儲蓄器之前將納米孔插入所述脂雙層中。

7.權利要求1的方法，其進一步包括：

在電解質溶液流到所述第一儲蓄器之后將納米孔插入所述脂雙層中。

8.權利要求1的方法，其中所述脂雙層跨越所述第二儲蓄器，其中所述第一儲蓄器在所述第二儲蓄器外部，其中所述第一儲蓄器具有第一儲蓄器容積，其中所述第二儲蓄器具有第二儲蓄器容積，并且其中所述第一儲蓄器容積大于所述第二儲蓄器容積。

9.權利要求1的方法，其中所述穿過脂雙層施加的電壓是交流電壓。

10.用于分析測序芯片中的分子的系統或儀器，所述系統包括：

測序芯片，所述測序芯片包括測定池陣列，其中每個測定池包括孔；

偶聯到測序芯片的儲蓄器；和

處理器或電路系統，其配置成：

形成脂雙層，該脂雙層將所述儲蓄器與測定池陣列之一的孔分開，其中所述儲蓄器具有第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度，并且其中所述孔具有第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度；

使電解質溶液流到所述儲蓄器，其中所述電解質溶液具有與所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度不同的電解質溶液摩爾滲透壓濃度，從而引起所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度與所述第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度的比率的第一次改變；和

穿過所述脂雙層施加電壓，其中所述脂雙層包括納米孔，并且其中所述電壓引起所述儲蓄器和所述孔之間的離子的凈轉移，從而引起所述第一儲蓄器摩爾滲透壓濃度與所述第二儲蓄器摩爾滲透壓濃度的比率的第二次改變，其中比率的所述第一次改變和比率的所述第二次改變基本上相互抵消。

11.權利要求10的系統或儀器，其中所述儲蓄器和所述孔之間的離子的凈轉移包括離子從所述孔到所述儲蓄器的凈流出。