[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201780039689.0
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN109417086B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 尾崎大輔;河野涼一
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/872
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張欣;金玉蘭

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

有源部，其設置于半導體基板；以及

終端結構部，其設置于所述半導體基板的正面側的終端，緩和該終端的電場，

所述終端結構部具備：

多個保護環，其從所述有源部側向與所述有源部相反的邊緣側并列地排列；以及

多個第一場板層，其從所述有源部側向所述邊緣側并列地排列，且與所述多個保護環分別電連接，

在施加額定電壓時，所述終端結構部的正面側的電場分布中的所述有源部側的端部的電場比該正面側的電場分布的最大值小，

所述多個第一場板層中的所述有源部側的第一場板層比所述多個保護環中的對應的保護環向所述邊緣側突出，所述多個第一場板層中的所述邊緣側的第一場板層比所述多個保護環中的對應的保護環向所述有源部側突出，

所述多個第一場板層中的所述有源部側的第一場板層隨著朝向所述邊緣側，所述第一場板層的突出量依次變小，

所述多個第一場板層中的所述邊緣側的第一場板層隨著朝向所述有源部側，所述第一場板層的突出量依次變小。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述終端結構部的電場分布在比所述終端結構部的中心靠近與所述有源部相反的邊緣側的位置具有電場的最大峰。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個第一場板層中的最靠近所述邊緣側的第一場板層向所述有源部側突出，并且也向所述邊緣側突出。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個第一場板層中的最靠近所述邊緣側的第一場板層向所述有源部側突出，并且也向所述邊緣側突出。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置還具備耐量結構部，所述耐量結構部設置于所述半導體基板的正面側的所述有源部與所述終端結構部之間。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體基板在第一導電型的半導體基板的正面側至少形成有與該第一導電型不同的第二導電型的第二導電型層，

所述耐量結構部具有阱層作為所述第二導電型層。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置還具備：

層間絕緣膜，其設置在所述半導體基板的正面上；以及

第二場板層，其設置在所述層間絕緣膜上，且與所述阱層電連接，

所述第二場板層比所述阱層向所述邊緣側突出。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二場板層和與該第二場板層相鄰的所述第一場板層之間以及所述第一場板層彼此之間的間隔相同。

9.根據權利要求6～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個第一場板層的寬度是越靠近所述邊緣側變得越大。

10.根據權利要求6～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個保護環的寬度相同。

11.根據權利要求6～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述阱層和與該阱層相鄰的所述保護環之間的間隔以及所述保護環彼此之間的間隔是越靠近所述邊緣側變得越大。

12.根據權利要求6～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，在施加額定電壓時，所述終端結構部的正面側的電場分布在所述阱層和與該阱層相鄰的所述保護環之間以及所述保護環彼此之間具有脈沖狀的波形，且連結該脈沖狀的波形的峰而得到的曲線呈凸狀。