[發明專利]用于反向偏置開關晶體管的方法和裝置

有效

• 申請號: 201780038557.6
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN109314097B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: S·格科特佩里
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;羅利娜

一種集成射頻(RF)電路結構可以包括在隔離層的第一表面上的有源器件。集成RF電路結構還可以包括在隔離層的與第一表面相對的第二表面上的反向偏置金屬化。有源器件的本體被反向偏置金屬化偏置。集成RF電路結構還可以包括在有源器件上的正面介電層上的處理基底。

技術領域

本公開總體上涉及集成電路(IC)。更具體地，本公開涉及用于反向偏置開關晶體管的方法和裝置。

背景技術

推動無線通信行業的一個目標是為消費者提供增長的帶寬。在當前一代通信中使用載波聚合為實現該目標提供了一種可能的解決方案。載波聚合使得具有在特定地理區域中的兩個頻帶(例如，700MHz和2GHz)的許可的無線載波能夠通過同時使用兩個頻率用于單個通信流來最大化帶寬。雖然向終端用戶提供了增長的數據量，但由于用于數據傳輸的頻率的原因，在諧波頻率處產生的噪聲使載波聚合實現變得復雜。例如，700MHz傳輸可能會產生2.1GHz處的諧波，這干擾在2GHz頻率處的數據廣播。

對于無線通信，無源器件被用于在載波聚合系統中處理信號。在載波聚合系統中，利用高頻帶和低頻帶來通信信號。在芯片組中，無源器件(例如，雙工器)通常插在天線與調諧器(或射頻(RF)開關)之間，以確保高性能。通常，雙工器設計包括電感器和電容器。雙工器可以通過使用具有高品質(Q)因子的電感器和電容器來實現高性能。還可以通過減少組件之間的電磁耦合來獲取高性能雙工器，這樣的電磁耦合可以通過組件的幾何形狀和方向的布置來實現。

出于成本和功耗考慮，包括高性能雙工器的移動RF芯片設計(例如，移動RF收發器)已經遷移到深亞微米工藝節點。這樣的移動RF收發器的設計在這個深亞微米工藝節點變得復雜。這些移動RF收發器的設計復雜性由于用于支持通信增強(諸如載波聚合)的增加的電路功能而進一步復雜化。移動RF收發器的進一步設計挑戰包括模擬/RF性能考慮因素，包括不匹配、噪聲和其他性能考慮。這些移動RF收發器的設計包括附加無源器件的使用，例如，以便抑制諧振，和/或執行濾波、旁路和耦合。

發明內容

一種集成射頻(RF)電路結構可以包括在隔離層的第一表面上的有源器件。集成RF電路結構還可以包括在隔離層的與第一表面相對的第二表面上的反向偏置金屬化。有源器件的本體被反向偏置金屬化偏置。集成RF電路結構還可以包括在有源器件上的正面介電層上的處理基底。

一種構造集成RF電路結構的方法可以包括制造由隔離層的第一表面支撐并且設置在犧牲基底上的有源器件。該方法還可以包括在有源器件上沉積正面介電層。該方法還可以包括將處理基底接合到正面介電層。該方法還可以包括去除犧牲基底。該方法還可以包括在隔離層的與第一表面相對的第二表面上制造反向偏置金屬化。有源器件的本體被反向偏置金屬化偏置。

一種集成RF電路結構可以包括在隔離層的第一表面上的有源器件。集成RF電路結構還可以包括用于對布置在隔離層的與第一表面相對的第二表面上的有源器件的本體進行反向偏置的部件。集成RF電路結構還可以包括設置在有源器件上的正面介電層上的處理基底。

一種RF前端模塊可以包括集成RF電路結構。集成RF電路結構可以包括在隔離層的第一表面上的開關晶體管。集成RF電路結構還可以包括在隔離層的與第一表面相對的第二表面上的反向偏置金屬化。開關晶體管的本體被反向偏置金屬化偏置。集成RF電路結構還可以包括在設置在開關晶體管上的正面介電層上的處理基底。集成RF前端模塊還可以包括耦合到開關晶體管的輸出的天線。

這已經相當廣泛地概述了本公開的特征和技術優點，以便可以更好地理解隨后的具體實施方式。下面將描述本公開的附加特征和優點。本領域技術人員應當理解，本公開可以容易地被用作修改或設計用于實現本公開的相同目的的其他結構的基礎。本領域技術人員還應當認識到，這樣的等效構造沒有脫離所附權利要求中闡述的本公開的教導。當結合附圖考慮時，從以下描述將更好地理解被認為是本公開的特點的新穎特征，涉及本公開的組織和操作方法兩者以及其他目的和優點。然而，應當清楚地理解，每個附圖被提供僅用于說明和描述的目的，而無意作為本公開的范圍的定義。

附圖說明