[發明專利]具有薄層覆蓋物的組件和其產生方法

在審

• 申請號: 201780038389.0
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN109417369A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 羅蘭·羅澤青;安斯加爾·肖費勒
• 申請（專利權）人: 追蹤有限公司
• 主分類號: H03H9/10
• 分類號: H03H9/10;H03H3/007;B81B7/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種組件B，其包括

-載體TR，

-功能結構FS，其在所述載體TR上，

-薄層覆蓋物DSA，其跨越所述功能結構FS并且放置在所述載體上，

-第一布線層VE1，其應用到所述平面化層上并且包括結構化導體跡線，其中

-所述第一布線層VE1經由所述導體跡線與所述功能結構FS互連。

2.根據權利要求1所述的組件，

其中所述第一布線層VE1包括可焊接連接墊AP。

3.根據前述權利要求中任一權利要求所述的組件，

-部分層包括機械穩定層MSS和密封層VS

-其中所述機械穩定層在所述載體TR上方包封空腔，在所述空腔中包封所述功能結構FS的至少一部分

-其中所述布線層VE布置于所述部分層中的兩個之間。

4.根據前述權利要求所述的組件，其中

-所述功能結構FS選自：MEMS結構MEMSS、微聲學結構、SAW結構SAWS、BAW結構BAWS、GBAW結構GBAWS。

5.根據前述權利要求中任一權利要求所述的組件，

其還包括所述載體TR上的連接面AF，所述連接面與所述功能結構FS互連并且經由穿過所述平面化層的所述導體跡線中的一個與所述第一布線層VE1互連。

6.根據前述權利要求所述的組件，

其中所述連接面AF和所述可焊接連接墊AP依據其含于所述組件中的數目進行排列，或排列于所述組件上的水平分布中，

且/或排列于相應水平位置中。

7.根據前述權利要求中任一權利要求所述的組件，

其還包括與第一功能結構FS上方的所述薄層覆蓋物上的所述功能結構FS連接的一或多個電路組件。

8.根據前述權利要求中任一權利要求所述的組件B，

-其中第二布線層VE2布置于所述薄層覆蓋物DSA的兩個部分層之間

-其中至少一個電絕緣部分層布置于所述兩個布線層VE1、VE2之間

-其中來自所述兩個布線層的結構化導體跡線與彼此電連接，

-其中僅在所述兩個布線層VE2的上部提供電連接。

9.根據前述權利要求中任一權利要求所述的組件，

-其中利用聲波操作的多個功能結構FS分別被獨立薄層覆蓋物DSA覆蓋并且經連接以形成HF濾波器

-其中所述連接所述功能結構FS以形成HF濾波器至少部分地在所述第一和/或第二布線層中實現。

10.一種用于產生組件B的方法，

其包括以下步驟：

-提供載體TR，

-在所述載體TR上布置功能結構FS，

-用薄層覆蓋物DSA覆蓋所述第一功能結構FS，

-在所述薄層覆蓋物DSA上產生第一布線層并且進行結構化，使得其與所述第一功能結構FS電連接。

11.根據前述權利要求所述的方法，其中

-金屬層沉積到所述薄層覆蓋物DSA上并且經結構化以便形成所述第一布線層，且

-在所述布線層上方產生電絕緣層并且進行結構化以便保持自由區域FF

-可焊接金屬化物應用到所述自由區域FF上以便產生可焊接連接墊AP。