[發(fā)明專利]使用固體碘化鋁(AlI3

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780038149.0
• 申請(qǐng)日: 2017-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN109312452B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丹尼斯·卡梅尼察;理查德·雷舒特;費(fèi)爾南多·席爾瓦;尼爾·科爾文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾克塞利斯科技公司
• 主分類號(hào): C23C14/48
• 分類號(hào): C23C14/48;H01J37/317;H01L21/265
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 劉新宇;壽寧

1.一種離子注入裝置，配置為注入來自于固體碘化鋁材料源的鋁離子,所述裝置包括：

離子源，其配置成從碘化鋁形成離子束，所述離子源包括配置成從所述碘化鋁離解鋁離子的電弧腔室；

束線總成，其配置成選擇性輸送所述離子束；以及

終端站，其配置成接受所述離子束，用于將所述鋁離子注入工件中；

輸水裝置，其配置成將水或水蒸汽引入所述離子源、所述束線總成和所述終端站中的一個(gè)或多個(gè)，其中所述輸水裝置配置成使水或水蒸汽與所述離子源、所述束線總成和所述終端站中的一個(gè)或多個(gè)的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)表面上形成的殘余碘化鋁反應(yīng)；以及

真空裝置，其配置成排空所述離子源、所述束線總成和所述終端站中的一個(gè)或多個(gè)，其中所述真空裝置進(jìn)一步配置成從各自的離子源、束線總成和終端站除去水或水蒸汽與反應(yīng)的殘余碘化鋁的一種或多種反應(yīng)產(chǎn)物。

2.如權(quán)利要求1所述的離子注入裝置，進(jìn)一步包括：

固態(tài)材料源，其包括固體形式的碘化鋁；以及

固體源蒸發(fā)器，其配置成蒸發(fā)碘化鋁，從而界定氣態(tài)碘化鋁，其中所述離子源包括配置成由氣態(tài)碘化鋁形成等離子體并從氣態(tài)碘化鋁離解鋁離子的所述電弧腔室，并且其中所述輸水裝置配置成將水或水蒸汽引入所述電弧腔室。

3.如權(quán)利要求2所述的離子注入裝置，其中，所述離子源進(jìn)一步包括配置成從所述電弧腔室引出離子束的一個(gè)或多個(gè)引出電極，其中所述輸水裝置進(jìn)一步配置成將水或水蒸汽引入所述一個(gè)或多個(gè)引出電極。

4.如權(quán)利要求2所述的離子注入裝置，其中所述固體源蒸發(fā)器包括配置成將碘化鋁加熱到蒸發(fā)溫度的一個(gè)或多個(gè)加熱元件。

5.如權(quán)利要求2所述的離子注入裝置，其中，所述固體源蒸發(fā)器配置成將碘化鋁加熱到90℃至100℃。

6.如權(quán)利要求1所述的離子注入裝置，其中，所述工件包含碳化硅。

7.如權(quán)利要求1所述的離子注入裝置，其中，所述碘化鋁呈粉末形式、顆粒形式和塊狀固體形式中的一種或多種。

8.一種用于清潔離子注入裝置的一個(gè)或多個(gè)組件的方法，該方法包括：

通過碘化鋁的離子化將從固體碘化鋁材料源獲得的鋁離子注入到工件中，其中殘留的碘化鋁在一種或多種組分的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)表面上形成；

將水蒸汽引入所述一個(gè)或多個(gè)組件的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)表面，其中使殘余碘化鋁與水蒸汽反應(yīng)形成氫碘酸；以及

排空所述離子注入裝置，其中除去殘余碘化鋁和氫碘酸。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，包括迭代地引入水蒸汽并排空所述離子注入裝置。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，原位引入水蒸汽。

11.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括引入水蒸汽并排空所述離子注入裝置。

12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)組件包括離子源和引出電極中的一個(gè)或多個(gè)。

13.一種用于清潔離子注入裝置的方法，該方法包括：

經(jīng)由碘化鋁的離子化將從固體碘化鋁材料源獲得的鋁離子注入工件中；

在注入鋁離子之后，將水蒸汽引入所述離子注入裝置，其中水蒸汽與所述離子注入裝置的一個(gè)或多個(gè)組件的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)表面上形成的殘余碘化鋁反應(yīng)；以及

排空所述離子注入裝置，其中從所述離子注入裝置中除去水蒸汽與反應(yīng)的殘余碘化鋁的一種或多種反應(yīng)產(chǎn)物。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，使水蒸汽與殘余碘化鋁反應(yīng)形成氫碘酸。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，迭代地執(zhí)行引入水蒸汽并排空所述離子注入裝置。