[發明專利]單晶硅的制造方法有效
| 申請號： | 201780037723.0 | 申請日： | 2017-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN109415841B | 公開（公告）日： | 2021-08-03 |
| 發明（設計）人： | 鳴嶋康人;久保田利通 | 申請（專利權）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;楊戩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶硅 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶硅的制造方法，其利用單晶提拉裝置并使用切克勞斯基法來進行，所述單晶提拉裝置具備：
腔室；
坩堝，配置于該腔室內；
加熱部，通過對所述坩堝進行加熱而生成硅熔液中添加有摻雜劑的摻雜劑添加熔液；及
提拉部，使籽晶與所述摻雜劑添加熔液接觸之后進行提拉，
所述加熱部具備：上加熱部，對所述坩堝的側面的上部進行加熱；及下加熱部，對所述坩堝的側面的下部進行加熱，
所示單晶硅的制造方法的特征在于，具備：
頸部形成工序，形成所述單晶硅的頸部；
肩部形成工序，形成所述單晶硅的肩部；及
直體部形成工序，形成所述單晶硅的直體部，
在所述頸部形成工序中，在以所述下加熱部的加熱量除以所述上加熱部的加熱量的加熱比成為1以上且1.5以下的方式對所述坩堝進行了加熱的狀態下，使所述籽晶與所述摻雜劑添加熔液接觸，
在所述肩部形成工序中，在形成中的所述肩部的直徑成為所述直體部的設定直徑的一半以上的時刻之前，一邊使所述坩堝以14rpm以上的轉速旋轉一邊以所述加熱比從1以上且1.5以下的規定的值變大的方式對所述坩堝進行加熱，在所述時刻以后，以所述加熱比成為2以上的方式對所述坩堝進行加熱而形成所述肩部。
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