[發明專利]雙軸取向熱塑性樹脂膜有效
| 申請號： | 201780037532.4 | 申請日： | 2017-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN109312088B | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發明（設計）人： | 東大路卓司;川原慎也;中森由佳里;鈴木維允 | 申請（專利權）人： | 東麗株式會社 |
| 主分類號： | C08J5/18 | 分類號： | C08J5/18;B29C55/14;B29K23/00;B29K67/00;B29K79/00;B29K81/00;B29L7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 馬妮楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 取向 塑性 樹脂 | ||
1.一種雙軸取向熱塑性樹脂膜，其至少一個表面的突起高度為1nm以上且小于2nm的突起個數為1×107～1×109個/mm2，
所述突起高度為1nm以上且小于2nm的突起個數為1×107～1×109個/mm2的膜表面的金屬摩擦系數為0.1～0.5。
2.根據權利要求1所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，其霧度為0.1％～2.0％。
3.根據權利要求1或2所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，在所述突起高度為1nm以上且小于2nm的突起個數為1×107～1×109個/mm2的膜表面，突起高度為10nm以上的突起個數為1×106個/mm2以下。
4.根據權利要求1或2所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，構成所述雙軸取向熱塑性樹脂膜的熱塑性樹脂以聚酯、聚烯烴、聚苯硫醚、聚酰亞胺中的任一種作為主成分。
5.根據權利要求1或2所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，所述突起高度為1nm以上且小于2nm的突起個數為1×107～1×109個/mm2的膜表面的峰度即峰態系數超過3.0且為8.0以下。
6.根據權利要求1或2所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，其作為脫模用膜而使用。
7.根據權利要求6所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，其作為干膜抗蝕劑支持體用膜而使用。
8.根據權利要求6所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，其在制造疊層陶瓷電容器的工序中作為生片成型的支持體用膜而使用。
9.根據權利要求6所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，其作為偏振片脫模用膜而使用。
10.根據權利要求1或2所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，其作為光學構件用膜而使用。
11.根據權利要求1或2所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜，其用于涂布型數字記錄方式的磁記錄介質用基膜。
12.一種磁記錄介質，其使用了權利要求1～5中任一項所述的雙軸取向熱塑性樹脂膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東麗株式會社，未經東麗株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780037532.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：乙烯-四氟乙烯類共聚物膜及其制造方法
- 下一篇：施加顆粒的方法
