[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體模板、氮化物半導(dǎo)體模板的制造方法以及氮化物半導(dǎo)體自支撐基板的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780037496.1
• 申請(qǐng)日: 2017-01-24
• 公開（公告）號(hào): CN109312491B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤倉(cāng)序章;今野泰一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽奧科思有限公司;住友化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C30B29/38
• 分類號(hào): C30B29/38;C23C16/02;C23C16/34;C30B25/18;H01L21/205
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體模板具有：基板，其具有表面以及與表面處于相反側(cè)的背面；背面?zhèn)劝雽?dǎo)體層，其設(shè)置在基板的背面?zhèn)龋啥嗑У腎II族氮化物半導(dǎo)體形成，并具有與基板的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)；表面?zhèn)劝雽?dǎo)體層，其設(shè)置在基板的表面?zhèn)龋蓡尉У腎II族氮化物半導(dǎo)體形成，并具有與基板的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)，表面?zhèn)劝雽?dǎo)體層的厚度大于在僅設(shè)置表面?zhèn)劝雽?dǎo)體層而不設(shè)置背面?zhèn)劝雽?dǎo)體層的情況下將氮化物半導(dǎo)體模板加熱至III族氮化物半導(dǎo)體的生長(zhǎng)溫度時(shí)在表面?zhèn)劝雽?dǎo)體層中產(chǎn)生裂紋的臨界厚度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體模板、氮化物半導(dǎo)體模板的制造方法以及氮化物半導(dǎo)體自支撐基板的制造方法。

背景技術(shù)

制造由III族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光元件等半導(dǎo)體裝置時(shí)，作為使發(fā)光層等層疊體生長(zhǎng)的基體，有時(shí)使用例如在藍(lán)寶石基板等的表面上使氮化物半導(dǎo)體層生長(zhǎng)而得到的氮化物半導(dǎo)體模板(例如參照專利文獻(xiàn)1、非專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2016-32038號(hào)公報(bào)

非專利文獻(xiàn)

非專利文獻(xiàn)1：Edward A.Preble,Jacob H.Leach,Robert Metzger,EugeneShishkin,and Kevin A.Udwary:Phys.Status Solidi C11,No.3-4，604-607(2014)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問(wèn)題

本發(fā)明的目的在于，提供能夠以良好的成品率得到高品質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體模板或氮化物半導(dǎo)體自支撐基板的技術(shù)。

用于解決問(wèn)題的方案

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種氮化物半導(dǎo)體模板，其具有：

基板，其具有表面、以及與前述表面處于相反側(cè)的背面；

背面?zhèn)劝雽?dǎo)體層，其設(shè)置在前述基板的前述背面?zhèn)龋啥嗑У腎II族氮化物半導(dǎo)體形成，并具有與前述基板的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)；

表面?zhèn)劝雽?dǎo)體層，其設(shè)置在前述基板的前述表面?zhèn)龋蓡尉У腎II族氮化物半導(dǎo)體形成，并具有與前述基板的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)，

前述表面?zhèn)劝雽?dǎo)體層的厚度為大于如下的臨界厚度的厚度，所述臨界厚度是在僅設(shè)置前述表面?zhèn)劝雽?dǎo)體層而不設(shè)置前述背面?zhèn)劝雽?dǎo)體層的情況下在前述表面?zhèn)劝雽?dǎo)體層中產(chǎn)生裂紋的臨界厚度。

根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種氮化物半導(dǎo)體模板的制造方法，其具有如下工序：

第1工序，準(zhǔn)備具有表面以及與前述表面處于相反側(cè)的背面的基板；

第2工序，在前述基板的前述背面?zhèn)刃纬杀趁鎮(zhèn)劝雽?dǎo)體層，所述背面?zhèn)劝雽?dǎo)體層由多晶或非晶的III族氮化物半導(dǎo)體形成，且具有與前述基板的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)；

第3工序，在前述基板的前述表面?zhèn)刃纬杀砻鎮(zhèn)劝雽?dǎo)體層，所述表面?zhèn)劝雽?dǎo)體層由單晶的III族氮化物半導(dǎo)體形成，且具有與前述基板的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)，

在前述第2工序之后實(shí)施前述第3工序。

根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種氮化物半導(dǎo)體自支撐基板的制造方法，其具有如下工序：

第1工序，準(zhǔn)備具有表面以及與前述表面處于相反側(cè)的背面的基板；

第2工序，在前述基板的前述背面?zhèn)刃纬杀趁鎮(zhèn)劝雽?dǎo)體層，所述背面?zhèn)劝雽?dǎo)體層由多晶或非晶的III族氮化物半導(dǎo)體形成，且具有與前述基板的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)；