[發明專利]半導體激光二極管

有效

• 申請號: 201780036897.5
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN109314369B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 沃爾夫岡·雷耶
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種半導體激光二極管，所述半導體激光二極管具有：

-半導體本體(2)，所述半導體本體包括發射區域(5)；和

-第一聯接元件(3)，所述第一聯接元件在所述發射區域(5)中電接觸所述半導體本體(2)，其中

-所述半導體本體(2)在所述發射區域(5)中與所述第一聯接元件(3)接觸；和

-所述半導體本體(2)在所述發射區域(5)中至少局部地具有結構化部(26)，所述結構化部擴大在所述半導體本體(2)和所述第一聯接元件(3)之間的接觸面(28)，并且其中

-所述半導體本體(2)包括聯接區域，所述聯接區域是高p摻雜的層并且在所述接觸面處直接鄰接于所述第一聯接元件，或者

-所述結構化部(26)具有結構(26a)的密度，其中所述結構的密度朝輻射出射面(7)增加。

2.根據權利要求1所述的半導體激光二極管，其中

-所述結構化部(26)具有結構(26a)的密度，其中所述結構的密度朝輻射出射面(7)增加，

-所述半導體本體(2)包括副區域(6)，所述副區域相對于所述發射區域(5)橫向相鄰地設置，其中

-所述半導體本體(2)在所述副區域(6)中至少局部地具有另一結構化部(27)，所述另一結構化部具有另外的結構(27a)，其中所述另一結構化部(27)構成用于減弱副模式，并且

-所述結構化部(26)的所述結構(26a)具有平均高度(h)，所述平均高度小于所述另一結構化部(27)的所述另外的結構(27a)的平均高度(h)。

3.根據權利要求1所述的半導體激光二極管，

其中所述結構化部(26)具有結構(26a)的密度，其中所述結構的密度朝輻射出射面(7)增加。

4.根據權利要求2或3所述的半導體激光二極管，

其中所述結構(26a)在所述輻射出射面(7)上設置得越近，相鄰的結構(26a)之間的間距(d)就越小。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光二極管，

其中在所述半導體本體(2)和所述第一聯接元件(3)之間的、具有結構化部(26)的所述接觸面(28)至少局部地為在所述半導體本體(2)和所述第一聯接元件(3)之間的沒有任何結構化部的接觸區域的至少1.5倍大。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光二極管，

其中所述第一聯接元件(3)包括金屬性的層，所述金屬性的層在所述發射區域(5)中完全地覆蓋所述半導體本體(2)。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光二極管，

其中所述結構化部(26)至少局部地包括如下結構(26)中的至少一個：截錐、倒截錐、截棱錐、倒截棱錐、錐、倒錐、棱錐、倒棱錐、球殼、倒球殼。

8.根據權利要求2或3所述的半導體激光二極管，

其中所述結構(26a)的最大橫向延伸為至少400nm。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光二極管，

其中所述半導體本體(2)在所述發射區域(5)中包括聯接區域(24)，所述聯接區域在所述接觸面(28)處直接鄰接于所述第一聯接元件(3)，其中所述聯接區域(24)在任何部位處都不被完全穿過。

10.根據權利要求2或3所述的半導體激光二極管，

其中所述半導體本體(2)包括副區域(6)，所述副區域與所述發射區域(5)橫向相鄰地設置，其中所述半導體本體(2)在所述副區域(6)中至少局部地具有另一結構化部(27)，所述另一結構化部具有另外的結構(27a)，其中所述另一結構化部(27)構成用于減弱副模式。