[發(fā)明專利]氧化物燒結(jié)體以及濺射靶

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780036417.5
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN109311756B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 井上一吉;笘井重和;柴田雅敏;竹島基浩
• 申請（專利權(quán)）人: 出光興產(chǎn)株式會社
• 主分類號: C04B35/01
• 分類號: C04B35/01;C23C14/34;H01B1/08;H01B5/14;H01L21/363;H01B13/00
• 代理公司: 上海立群專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31291
• 代理人: 毛立群

一種氧化物燒結(jié)體，含有以In₂O₃表示的方鐵錳礦相以及以Y₃In₂Ga₃O₁₂表示的石榴石相。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及氧化物燒結(jié)體以及濺射靶。

背景技術(shù)

由于薄膜晶體管(TFT)所使用的無定形(非晶質(zhì))氧化物半導體與通用的無定形硅(a-Si)相比具有高載流子遷移率，光學帶隙較大，能夠在低溫下成膜，因此期望將其用于要求大型、高成像清晰度、高速驅(qū)動的下一代的顯示器或者耐熱性低的樹脂基板等。

在形成上述氧化物半導體(膜)時，優(yōu)選采用對濺射靶進行濺射的濺射法。這是由于利用濺射法形成的薄膜與利用離子電鍍法或真空蒸鍍法、電子束蒸鍍法形成的薄膜相比，膜面方向(膜面內(nèi))上的成分組成或膜厚等的面內(nèi)均勻性優(yōu)良，能夠形成與濺射靶成分組成相同的薄膜。

在專利文獻1中記載了將氧化物燒結(jié)體用作濺射靶，該氧化物燒結(jié)體由In、Y以及O構(gòu)成，Y/(Y+In)的原子濃度為2.0～40原子％且體積電阻率為5×10^-2Ωcm以下。此外，記載了Sn元素的含量為，Sn/(In+Sn+其他的所有金屬原子)的原子濃度為2.8～20原子％。

在專利文獻2中記載了由In、Sn、Y以及O構(gòu)成的、Y/(In+Sn+Y)的原子濃度為0.1～2.0原子％的氧化物燒結(jié)體以及使用了該氧化物燒結(jié)體的濺射靶。

在專利文獻3中記載了具有YInO₃與In₂O₃的晶格常數(shù)的中間的晶格常數(shù)的燒結(jié)體以及將該燒結(jié)體作為濺射靶使用。

在專利文獻4中記載了一種濺射靶，該濺射靶是將含有氧化銦、氧化釔、以及氧化鋁或氧化鎵的原料進行燒結(jié)而得到的、含有A₃B₅O₁₂型石榴石結(jié)構(gòu)的化合物。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平09-209134號公報

專利文獻2：日本特開2000-169219號公報

專利文獻3：國際公開2010-032432號公報

專利文獻4：國際公開2015-098060號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明的目的是提供一種新型的氧化物燒結(jié)體及濺射靶。

以往，如專利文獻4所記載的那樣，認為由氧化釔和氧化鎵構(gòu)成的化合物包含A₃B₅O₁₂型的石榴石相。但是，本發(fā)明人銳意研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在以In₂O₃表示的方鐵錳礦相為主要成分的氧化物燒結(jié)體中，出現(xiàn)的是以Y₃In₂Ga₃O₁₂表示的石榴石相而并非A₃B₅O₁₂型的石榴石相，從而完成了本發(fā)明。

用于解決上述技術(shù)問題的方案

根據(jù)本發(fā)明，提供以下的氧化物燒結(jié)體以及濺射靶等。

方案1.一種氧化物燒結(jié)體，含有以In₂O₃表示的方鐵錳礦相以及以Y₃In₂Ga₃O₁₂表示的石榴石相。

方案2.如方案1所記載的氧化物燒結(jié)體，In、Ga以及Y的原子比在以下范圍內(nèi)，