[發(fā)明專利]超導磁體及其操作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780035546.2 | 申請日： | 2017-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN109313245B | 公開（公告）日： | 2021-05-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | G·B·J·米爾德;C·L·G·哈姆 | 申請（專利權）人： | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號： | G01R33/389 | 分類號： | G01R33/389;G01R33/3815;G01R33/421;H01F6/00 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 李光穎;王英 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超導 磁體 及其 操作方法 | ||
1.一種超導磁體，包括：
磁體低溫恒溫器(12)；
超導磁體線圈(C1、C2、C3、C4、C5、C6、S1、S2)，其被設置在所述磁體低溫恒溫器內部，并且被配置為當電流在所述超導磁體線圈中流動時生成靜態(tài)B0磁場；
超導B0補償電路(30、60、70)，其被設置在所述磁體低溫恒溫器內部，并且與所述超導磁體線圈耦合以減少由所述超導磁體線圈生成的所述靜態(tài)B0磁場中的時間變化；
電流傳感器(40)，其被設置在所述磁體低溫恒溫器內部并且被連接以測量在所述超導B0補償電路中流動的電流；以及
主動B0補償部件(50)，其與所述電流傳感器(40)可操作地連接以接收在所述超導B0補償電路(30、60、70)中流動的電流的測量結果，并且被配置為基于在所述超導B0補償電路中流動的所述電流來提供主動B0磁場補償。
2.根據(jù)權利要求1所述的超導磁體，其中：
所述主動B0補償部件(50)被配置為基于在所述超導B0補償電路中流動的所述電流通過調節(jié)由包括所述超導磁體(10)的磁共振MR成像設備(8)采集的磁共振MR成像數(shù)據(jù)的頻率(f0)來提供主動B0磁場補償。
3.根據(jù)權利要求1所述的超導磁體，其中：
所述主動B0補償部件(50)被配置為基于在所述超導B0補償電路中流動的所述電流通過調節(jié)包括所述超導磁體(10)的磁共振MR成像設備(8)的磁共振MR頻率(f0)來提供主動B0磁場補償。
4.根據(jù)權利要求1所述的超導磁體，其中：
所述主動B0補償部件(50)被配置為基于在所述超導B0補償電路中流動的所述電流通過生成補償磁場來提供主動B0磁場補償。
5.根據(jù)權利要求1-4中的任一項所述的超導磁體，其中，所述電流傳感器(40)包括：
超導傳感器線圈(42)，其與所述超導B0補償電路(30、60、70)電連接以響應于在所述超導B0補償電路中流經(jīng)所述超導傳感器線圈的電流而生成傳感器線圈磁場；以及
磁場傳感器(44)，其被布置為測量所述傳感器線圈磁場。
6.根據(jù)權利要求5所述的超導磁體，其中，所述磁場傳感器(44)包括霍爾效應傳感器。
7.根據(jù)權利要求5所述的超導磁體，其中：
所述超導傳感器線圈(42)被取向為生成橫向于所述電流傳感器(40)處的所述靜態(tài)B0磁場取向的所述傳感器線圈磁場；并且
所述磁場傳感器(44)被取向為感測所述傳感器線圈磁場，并且不感測橫向于所述傳感器線圈磁場取向的所述靜態(tài)B0磁場。
8.根據(jù)權利要求5所述的超導磁體，其中，所述電流傳感器(40)還包括：
圍繞所述超導傳感器線圈(42)和所述磁場傳感器(44)的磁屏蔽(46)。
9.根據(jù)權利要求1-4中的任一項所述的超導磁體，其中，所述超導B0補償電路(30)通過電連接(32、34)與所述超導磁體線圈耦合。
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