[發(fā)明專利]電極結(jié)構(gòu)、包括其的電子器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780034882.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-02-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109416958B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫鏞久;章盛皓;成知玹;李基碩;李承憲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社LG化學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01B7/00 | 分類號(hào): | H01B7/00;H01B13/00;H01B1/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 顧晉偉;梁笑 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電極 結(jié)構(gòu) 包括 電子器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種電極結(jié)構(gòu),包括:
透明電極;
設(shè)置在所述透明電極上的光阻擋圖案;
設(shè)置在所述光阻擋圖案上的輔助電極圖案;以及
覆蓋所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案的有機(jī)絕緣圖案,
其中所述光阻擋圖案的線寬大于所述輔助電極圖案的線寬,
其中所述有機(jī)絕緣圖案的線寬比所述光阻擋圖案的線寬大0.5μm或更多且2μm或更少,
其中所述輔助電極圖案的厚度為100nm或更大且2μm或更小,
其中所述光阻擋圖案的線寬比所述輔助電極圖案的線寬大0.5μm或更多且10μm或更少,
其中所述光阻擋圖案的厚度為100nm或更小,
其中所述有機(jī)絕緣圖案的與所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案接觸的表面的相對(duì)表面是彎曲表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu),其中所述光阻擋圖案具有導(dǎo)電性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu),其中所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案包含不同的金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu),其中所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案彼此不同,并且獨(dú)立地包含鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)及其合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu),其中所述有機(jī)絕緣圖案包含基于聚酰亞胺的聚合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu),其中所述光阻擋圖案具有100nm或更小的厚度,并且具有導(dǎo)電性,
所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案彼此不同,并且獨(dú)立地包含鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)及其合金,以及
所述有機(jī)絕緣圖案包含基于聚酰亞胺的聚合物且具有比所述光阻擋圖案的線寬更大的線寬,并且所述有機(jī)絕緣圖案的與所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案接觸的表面的相對(duì)表面是彎曲表面。
7.一種電子器件,包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電極結(jié)構(gòu)。
8.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電極結(jié)構(gòu)的方法,所述方法包括:
形成電極結(jié)構(gòu),其中在透明電極上順序地設(shè)置光阻擋圖案、輔助電極圖案和有機(jī)絕緣圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中所述電極結(jié)構(gòu)的形成包括:
S1)在所述透明電極上形成所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案;以及
S2)形成覆蓋所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案的有機(jī)絕緣圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中操作S1)包括:
S1-1)在所述透明電極上形成光阻擋層;
S1-2)在所述光阻擋層上形成輔助電極層;
S1-3)在所述輔助電極層上形成蝕刻保護(hù)圖案;以及
S1-4)通過(guò)經(jīng)由一次或更多次的蝕刻過(guò)程除去所述光阻擋層和所述輔助電極層的其中沒(méi)有形成所述蝕刻保護(hù)圖案的部分,形成所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中操作S1-4)是這樣的操作:通過(guò)經(jīng)由用共用蝕刻劑進(jìn)行一次蝕刻過(guò)程除去所述光阻擋層和所述輔助電極層的其中沒(méi)有形成所述蝕刻保護(hù)圖案的部分,形成所述光阻擋圖案和所述輔助電極圖案,以及
由于所述光阻擋層和所述輔助電極層相對(duì)于所述共用蝕刻劑的蝕刻速度不同,所述光阻擋圖案的線寬大于所述輔助電極圖案的線寬。
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