[發明專利]雙分子層形成的電氣增強

有效

• 申請號: 201780033540.1
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN109154596B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: R.J.A.陳;J.W.小曼尼;A.瓦巴;K.G.阿利亞多;K.尤梅達;W.尼爾森;J.H.羅
• 申請（專利權）人: 吉尼亞科技公司
• 主分類號: G01N33/487
• 分類號: G01N33/487
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 黃濤;劉春元

1.一種在基于納米孔的測序芯片中的單元陣列上形成多個脂質雙分子層的方法，每個單元包括貯液器，所述方法包括：

使鹽緩沖溶液在基于納米孔的測序芯片中在單元陣列上流動，以便利用所述鹽緩沖溶液基本上填充所述單元中的貯液器；

使脂質和溶劑混合物在單元陣列上流動，以便使脂質和溶劑混合物沉積在至少一些單元中的貯液器上；

檢測所述單元的第一部分，所述第一部分中每個單元在單元的貯液器上具有脂質雙分子層，并且檢測所述單元的第二部分，所述第二部分中每個單元在單元的貯液器上具有脂質隔膜而不是脂質雙分子層；以及

選擇性地將電氣脂質減薄刺激施加到所述單元的第二部分而不施加到所述單元的第一部分，

其中檢測單元在其貯液器上是否具有脂質雙分子層包括：向所述單元施加電氣測量刺激，并且其中所述電氣測量刺激具有小于所述電氣脂質減薄刺激的絕對量值的絕對量值。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：遞增地增加所述電氣脂質減薄刺激的絕對量值。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：

至少部分地基于所述基于納米孔的測序芯片的目標產率來終止所述電氣脂質減薄刺激進一步施加到所述單元陣列，其中目標產率包括在單元中的貯液器上具有脂質雙分子層的單元的目標百分比。

4.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地將電氣脂質減薄刺激施加到所述單元的第二部分而不施加到所述單元的第一部分包括：

通過使單元的第一部分中每個單元中的開關開路來把所述單元的第一部分與電氣脂質減薄刺激斷開。

5.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地將電氣脂質減薄刺激施加到所述單元的第二部分而不施加到所述單元的第一部分在第一預定時間段內執行，所述方法還包括：

在第一預定時間段期間，檢測至少一個附加單元從在其貯液器上具有脂質隔膜轉變為在其貯液器上具有脂質雙分子層；

將所述至少一個附加單元分配到所述單元的第一部分而不等待直到第一預定時間段結束，使得電氣脂質減薄刺激不被施加到所述至少一個附加單元，所述單元的第一部分中的每個單元在單元的貯液器上具有脂質雙分子層。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括：

在預定時間段結束之后，使鹽緩沖溶液在基于納米孔的測序芯片中在單元陣列上流動，以減小單元中貯液器上的脂質隔膜的厚度。

7.根據權利要求6所述的方法，其中使鹽緩沖溶液在基于納米孔的測序芯片中在單元陣列上流動以減小單元中貯液器上的脂質隔膜的厚度在第二預定時間段內執行，所述方法還包括：

在第二預定時間段期間，檢測至少一個附加單元從在其貯液器上具有脂質隔膜轉變為在其貯液器上具有脂質雙分子層；

將所述至少一個附加單元分配到單元的第一部分，而不等待直到第二預定時間段結束，使得沒有電氣刺激被施加到所述至少一個附加單元，所述單元的第一部分中的每個單元在單元的貯液器上具有脂質雙分子層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，選擇性地將電氣脂質減薄刺激施加到單元的第二部分而不施加到單元的第一部分的步驟以及使鹽緩沖溶液在基于納米孔的測序芯片中在所述單元陣列上流動以減小所述單元中貯液器上的脂質隔膜厚度的步驟被重復多次。