[發明專利]光纖傳感器

在審

• 申請號: 201780033244.1
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN109313132A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 阿里禮薩·哈桑尼
• 申請（專利權）人: 麥克斯韋股份有限公司
• 主分類號: G01N21/552
• 分類號: G01N21/552
• 代理公司: 北京安杰律師事務所 11627
• 代理人: 王穎;劉盈盈

1.一種等離子體光纖，包括：

-纖芯，用于在其內傳送光學信號，所述纖芯提供暴露于所述流體下的等離子體感測區域，所述等離子體感測區域僅形成于所述纖芯的外表面的一部分上；并且

-其中，所述等離子體感測區域在所述外表面的所述部分內提供接口，以供所傳送信號至少部分地射出所述纖芯并且使得在所述纖芯中傳送修改光學信號。

2.如權利要求1所述的等離子體光纖，進一步包括光纖包層，所述光纖包層用于防止在所述纖芯中傳送的所述光學信號從其射出所述纖芯的所述外表面的所述部分的外部。

3.如權利要求1或權利要求2所述的等離子體光纖，其中，所述等離子體感測區域的所述接口由在其上形成的一個或多個材料層形成。

4.如權利要求3所述的等離子體光纖，其中，所述一個或多個層包括用于感測所述流體中是否存在特定分子的沉積金層。

5.如權利要求4所述的等離子體光纖，其中，所述金層的厚度在20nm與50nm之間以用于感測所述流體中是否存在水分子。

6.如權利要求4或權利要求5所述的等離子體光纖，其中，所述一個或多個層進一步包括用于感測所述流體中是否存在氫的沉積鈀層。

7.如權利要求6所述的等離子體光纖，其中，所述一個或多個層進一步包括在所述金層之上的、用于感測所述流體中是否存在氫的沉積銀層或沉積鉭層。

8.如權利要求7所述的等離子體光纖，其中，所述銀層或鉭層的厚度為10nm到30nm。

9.如權利要求6、權利要求7或權利要求8所述等離子體光纖，其中，所述鈀層的厚度為150nm到350nm。

10.如權利要求1至9中任一項所述的等離子體光纖，其中，所述等離子體感測區域的所述接口設置在其開口端處。

11.如權利要求1至9中任一項所述的等離子體光纖，其中，所述等離子體感測區域的所述接口設置在其一個或多個彎曲處。

12.一種等離子體光學傳感器，包括：

-根據權利要求1至11中任一項所述的等離子體光纖；

-光學信號發生器，所述光學信號發生器用于向所述等離子體光纖提供所述光學信號；

-光學信號接收器，所述光學信號接收器將所傳送的所述光學信號與所述修改光學信號區分開；以及

-處理器模塊，所述處理器模塊分析所述修改光學信號并且標識存在于所述感測區域處的所述流體的物理特性。

13.一種等離子體光學傳感器，包括：

-第一等離子體光纖，所述第一等離子體光纖包括：

-纖芯，用于在其內傳送光學信號，所述纖芯提供暴露于流體下的等離子體感測區域，所述等離子體感測區域僅形成于所述纖芯的外表面的一部分上；并且

-其中，所述等離子體感測區域在所述外表面的所述部分內提供接口，以供所傳送信號至少部分地射出所述纖芯；

-光學信號發生器，所述光學信號發生器用于向所述等離子體光纖提供所述光學信號；

-第二光纖，靠近所述等離子體感測區域，所述第二光纖傳送來自所傳送信號的修改光學信號以便至少部分地射出所述光纖；

-光學信號接收器，所述光學信號接收器從所述第二光纖接收所述修改光學信號；以及

-處理器模塊，所述處理器模塊分析所述修改光學信號并且標識存在于所述感測區域處的所述流體的一個或多個物理特性。

14.如權利要求12或權利要求13所述的等離子體光學傳感器，進一步包括流體可滲透外殼，所述流體可滲透外殼用于容納所述等離子體光纖，同時所述感測區域與所述流體接觸。