[發明專利]防污涂料組合物、防污涂膜、層疊防污涂膜、帶防污涂膜的基材及其制造方法、以及防污方法有效
| 申請號: | 201780033219.3 | 申請日: | 2017-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN109196064B | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 谷野聰一郎;筏井淳內 | 申請(專利權)人: | 中國涂料株式會社 |
| 主分類號: | C09D183/04 | 分類號: | C09D183/04;B05D5/00;B05D7/14;B05D7/24;B32B27/00;B32B27/38;B32B27/40;C08F220/28;C09D5/16;C09D133/14;C09D133/24 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 王銘浩 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防污 涂料 組合 層疊 基材 及其 制造 方法 以及 | ||
本發明提供一種防污涂料組合物,其能夠形成即使在暴露于動態水流的環境下也長期發揮出抗微生物污損的防污性、且與基底的粘接性也良好的防污涂膜。本發明涉及提供一種由上述防污涂料組合物形成的防污涂膜、層疊防污涂膜、帶防污涂膜的基材及其制造方法、以及防污方法。本發明的防污涂料組合物的特征在于,其含有固化性有機聚硅氧烷(A)和聚合物(B),所述聚合物(B)含有源自選自下述式(I)所示的不飽和單體(b1)、(甲基)丙烯酸四氫糠酯(b2)、4?(甲基)丙烯?;鶈徇?b3)和乙烯基吡咯烷酮(b4)中的1種以上的結構單元。(式(I)中,R1表示氫原子或碳數1~10的一價烴基,R2表示亞乙基或亞丙基,R3表示碳數4~10的二價烴基,R4表示氫原子或碳數1~30的一價烴基,m表示1~50的整數,n表示0~50的整數,X表示酯鍵、酰胺鍵或單鍵。)
技術領域
本發明涉及防污涂料組合物、使用了其的防污涂膜、層疊防污涂膜、帶防污涂膜的基材及其制造方法、以及防污方法。
背景技術
為了防止水生生物對船舶、水中結構物、漁網、漁具等的附著而廣泛使用固化性有機聚硅氧烷系防污涂膜。有機聚硅氧烷系防污涂膜因其低表面自由能、低彈性模量等特性而能夠防止藤壺、貽貝等大生物的附著、固定,并且,與以往的向環境中釋放出涂膜成分的水合分解型、水解型等的防污涂膜相比,具有對環境造成的負荷也低的優點。另一方面,對于細菌分泌物的覆膜、即粘液等微生物種類的防污性不充分,針對該課題進行了各種研究。
例如,專利文獻1提出了一種抗污損涂料,其含有以聚硅氧烷作為基材的粘結劑、將聚硅氧烷主鏈用親水性低聚物改性而得的親水性-改性聚硅氧烷以及殺滅生物劑。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特表2013-515122號公報
發明內容
發明要解決的問題
由專利文獻1中記載的含有親水性-改性聚硅氧烷的抗污損涂料形成的涂膜在涂膜暴露于水流時,存在親水性-改性聚硅氧烷在較短的時間內從涂膜溶失而喪失其效果的問題。此外,還存在上述涂膜容易發生粘接于作為基底的基材或底涂涂膜的粘接不良、該涂膜在處于動態水流下等高負荷條件的情況下容易發生剝離的問題。
本發明的目的是提供一種防污涂料組合物,其能夠形成即使在暴露于動態水流的環境下也長期發揮出抗微生物污損的防污性、且與基底的粘接性也良好的防污涂膜。此外,本發明的其它目的是提供由上述防污涂料組合物形成的防污涂膜、層疊防污涂膜、帶防污涂膜的基材及其制造方法、以及防污方法。
用于解決問題的方案
本發明人等鑒于上述課題而進行了深入研究,結果發現:由包含固化性有機聚硅氧烷和聚合物的涂料組合物形成的涂膜可長期在動態水流下發揮出高防污性,且具有良好的基底粘接性,從而完成了本發明,所述聚合物是將具有特定結構的不飽和單體與任選的其它不飽和單體聚合而得到的。
本發明的主旨如下所示。
本發明涉及以下的[1]~[20]。
[1]一種防污涂料組合物,其特征在于,其含有固化性有機聚硅氧烷(A)和聚合物(B),所述聚合物(B)含有源自選自下述式(I)所示的不飽和單體(b1)、(甲基)丙烯酸四氫糠酯(b2)、4-(甲基)丙烯?;鶈徇?b3)和乙烯基吡咯烷酮(b4)中的1種以上的結構單元(優選為源自下述式(I)所示的不飽和單體(b1)的結構單元)。
[化1]
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- 專利分類
C09D 涂料組合物,例如色漆、清漆或天然漆;填充漿料;化學涂料或油墨的去除劑;油墨;改正液;木材著色劑;用于著色或印刷的漿料或固體;原料為此的應用
C09D183-00 基于由只在主鏈中形成含硅的、有或沒有硫、氮、氧或碳鍵反應得到的高分子化合物的涂料組合物;基于此種聚合物衍生物的涂料組合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷鏈區的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少兩個,但不是所有的硅原子與氧以外的原子連接
C09D183-16 .其中所有的硅原子與氧以外的原子連接





