[發明專利]使用了MFI型沸石(純硅沸石)的分離膜的制造方法在審
| 申請號: | 201780032720.8 | 申請日: | 2017-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN109195693A | 公開(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發明(設計)人: | 矢野和宏;板倉正也;筱矢健太郎;今坂憐史 | 申請(專利權)人: | 日立造船株式會社 |
| 主分類號: | B01D71/02 | 分類號: | B01D71/02;B01D69/10;B01D69/12;C01B37/02;C04B41/85 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;謝順星 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分離膜 多孔支撐體 原料組合物 膜合成 純硅 晶種 有機模板劑 沸石膜 制造 附著 制備 浸漬 結晶結構 水熱合成 裝置設備 未使用 支撐體 組成比 沸石 | ||
1.一種分離膜的制造方法,其為具備多孔支撐體、及在該支撐體上形成的具有MFI型沸石結晶結構的純硅沸石膜的分離膜的制造方法,其特征在于,包括:
制備晶種的步驟;
使所述晶種附著于所述多孔支撐體上的步驟;
制備包含SiO2、有機模板劑及H2O的膜合成原料組合物的步驟;以及
將附著有所述晶種的所述多孔支撐體浸漬于所述膜合成原料組合物從而進行水熱合成的步驟,
所述膜合成原料組合物的組成比為SiO2:有機模板劑:H2O=1:(0.05~0.15):(50~120)。
2.根據權利要求1所述的分離膜的制造方法,其特征在于,所述有機模板劑包含羥基。
3.根據權利要求2所述的分離膜的制造方法,其特征在于,包含羥基的所述有機模板劑為TPAOH(四正丙基氫氧化銨)。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的分離膜的制造方法,其特征在于,
所述晶種的平均粒徑dseed與所述多孔支撐體的表層部平均孔徑dsupport之間具有下述式(1)的關系,
[式1]
5.根據權利要求1~4中任一項所述的分離膜的制造方法,其特征在于,
所述多孔支撐體由陶瓷材料構成,該多孔支撐體的平均孔徑由該多孔支撐體的內部向形成有所述純硅沸石膜的該多孔支撐體的表層部變小。
6.根據權利要求5所述的分離膜的制造方法,其特征在于,
所述多孔支撐體的長度方向的一端部或兩端部由致密的陶瓷材構成。
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