[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及發(fā)光裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780031350.6
• 申請(qǐng)日: 2017-02-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109155501B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 德田克彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/02208
• 分類號(hào): H01S5/02208;H01S5/02255;H01S5/0239
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;習(xí)冬梅

1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

形成有凹部的基板；

半導(dǎo)體發(fā)光元件，其設(shè)置在所述基板的所述凹部的內(nèi)底面上；

反射鏡，其形成在所述基板上，并將所述半導(dǎo)體發(fā)光元件放射的光向與其放射方向交叉的方向反射；

第一樹脂，其包含光擴(kuò)散材料，并與所述半導(dǎo)體發(fā)光元件分隔地設(shè)置在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的放射光的光路上且設(shè)置在所述基板的到上緣即開(kāi)口為止的所述凹部的內(nèi)部；以及

作為低光擴(kuò)散部的第二樹脂，其覆蓋所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的光放射面中的至少光的密度最高的區(qū)域，同時(shí)設(shè)置在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件與所述第一樹脂之間的光路上，

所述低光擴(kuò)散部的光擴(kuò)散材料的濃度低于所述第一樹脂的所述光擴(kuò)散材料的濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述低光擴(kuò)散部由所述光擴(kuò)散材料的濃度低于所述第一樹脂的所述第二樹脂構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第一樹脂包含1wt％以上的所述光擴(kuò)散材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第二樹脂包含10wt％以下的所述光擴(kuò)散材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

與所述半導(dǎo)體發(fā)光元件接觸的所述第一樹脂或所述第二樹脂的彈性模量為50000MPa以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述反射鏡具有光的反射面由平面或曲面構(gòu)成的第一面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述反射鏡具有在所述第一面上形成的第二面，所述第二面由曲率與所述第一面不同的曲面構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第一樹脂覆蓋所述反射鏡的所述第二面而形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第一樹脂形成在除了所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的上表面以外的區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述反射鏡在光的反射面的至少一部分形成凹凸部。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體發(fā)光元件放射700nm至1600nm波長(zhǎng)的光。

12.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有凹部的基板上形成反射鏡的工序；

以使所述反射鏡位于放射光的行進(jìn)方向下游側(cè)的方式，在所述基板的所述凹部的內(nèi)底面上配置半導(dǎo)體發(fā)光元件的工序；

與所述半導(dǎo)體發(fā)光元件分隔地在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的放射光的光路上設(shè)置包含光擴(kuò)散材料且位于所述基板的到上緣即開(kāi)口為止的所述凹部的內(nèi)部的第一樹脂的工序；以及

以覆蓋所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的光放射面中的至少光的密度最高的區(qū)域的方式，在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件與所述第一樹脂之間的光路上設(shè)置低光擴(kuò)散部的工序，

所述低光擴(kuò)散部的光擴(kuò)散材料的濃度低于所述第一樹脂的所述光擴(kuò)散材料的濃度。

13.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

基板；

半導(dǎo)體發(fā)光元件，其設(shè)置在所述基板上；

反射鏡，其形成在所述基板上，并將所述半導(dǎo)體發(fā)光元件放射的光向與其放射方向交叉的方向反射；

第一樹脂，其包含光擴(kuò)散材料，并與所述半導(dǎo)體發(fā)光元件分隔地設(shè)置在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的放射光的光路上；以及

低光擴(kuò)散部，其覆蓋所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的光放射面中的至少光的密度最高的區(qū)域，同時(shí)設(shè)置在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件與所述第一樹脂之間的光路上，

所述低光擴(kuò)散部的光擴(kuò)散材料的濃度低于所述第一樹脂的所述光擴(kuò)散材料的濃度，

所述第一樹脂形成在除了所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的上表面以外的區(qū)域，且包含1wt％以上的所述光擴(kuò)散材料。