[發(fā)明專利]無堿玻璃基板、層疊基板和玻璃基板的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780031202.4
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN109153596A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野村周平;小野和孝
• 申請（專利權(quán)）人: AGC株式會社
• 主分類號: C03C3/091
• 分類號: C03C3/091;C03C3/093;H01L23/15
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

本發(fā)明提供一種磨削率高且在將硅基板與玻璃基板貼合的熱處理工序中在所述硅基板產(chǎn)生的殘留應(yīng)變小的無堿玻璃基板。本發(fā)明的無堿玻璃基板以氧化物基準(zhǔn)的摩爾百分比計(jì)含有11.0％以上的Al₂O₃、8.0％以上的B₂O₃、1％以上的SrO，且在100℃～200℃下的平均熱膨脹系數(shù)α_100/200為3.10ppm/℃～3.70ppm/℃，楊氏模量為76.0GPa以下，密度為2.42g/cm³以上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及無堿玻璃基板、層疊基板和玻璃基板的制造方法。

背景技術(shù)

芯片級封裝(CSP)等的圖像傳感器已知有在硅基板上貼附玻璃基板進(jìn)行保護(hù)的方式。例如，在專利文獻(xiàn)1中公開了使基于熱膨脹的伸長率接近與玻璃接合的硅基板的基于熱膨脹的伸長率的硅底座用玻璃。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利第3153710號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

在半導(dǎo)體組裝工序中，分別將晶片狀態(tài)的硅基板和玻璃基板切斷后，將硅基板和玻璃基板貼合，進(jìn)行芯片接合、引線接合和模塑等一系列的組裝工序。近年來，也提出了通過晶片級封裝技術(shù)進(jìn)行的組裝，該晶片級封裝技術(shù)是在晶片狀態(tài)下將硅基板和玻璃基板貼合進(jìn)行組裝工序后進(jìn)行切斷。

為了將硅基板和玻璃基板貼合，要求板厚偏差(TTV)小、平坦性高的玻璃基板。但是，當(dāng)前的玻璃成型技術(shù)難以得到期望的板厚偏差、平坦性，因此，需要將所成型的玻璃基板進(jìn)行磨削而改善板厚偏差、平坦性。

圖像傳感器所使用的玻璃基板是在將通過浮法等制造的坯板外形加工成晶片狀態(tài)后，通過用于除去晶片表層部的應(yīng)變而將晶片的外形尺寸調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的磨削加工(磨削，lapping)工序以及除去晶片表層部的微裂紋、降低表面粗糙度的研磨加工(拋光，polishing)工序等進(jìn)行加工。為了生產(chǎn)率良好地得到板厚偏差小、平坦性高的玻璃基板，要求磨削工序中的高的磨削率(磨削レート)。

另外，為了將硅基板和玻璃基板貼合，需要熱處理工序。在熱處理工序中，例如使在200℃～400℃的溫度將硅基板和玻璃基板貼合而成的層疊基板降溫至室溫。此時(shí)，如果硅基板和玻璃基板的熱膨脹系數(shù)存在差異，則成為因熱膨脹量的差異而導(dǎo)致硅基板產(chǎn)生大的殘留應(yīng)變(殘留變形)的原因。

進(jìn)而，在晶片級封裝技術(shù)中，由于以晶片狀態(tài)將硅基板和玻璃基板貼合，因此，即使是以往并不是問題的熱膨脹系數(shù)之差，也容易在硅基板產(chǎn)生殘留應(yīng)變。

在專利文獻(xiàn)1中提出了一種硅底座用玻璃，其特征在于，玻璃的基于熱膨脹的伸長率α₁跟與玻璃接合的硅基材的基于熱膨脹的伸長率α₂的比率α₁/α₂為0.8～1.2的范圍的值。但是，在專利文獻(xiàn)1所公開的實(shí)施例的玻璃中，熱膨脹系數(shù)與硅基板的一致性不充分，在晶片級封裝技術(shù)中容易在硅基板發(fā)生殘留應(yīng)變。

因此，本發(fā)明提供磨削率高且在將硅基板和玻璃基板貼合的熱處理工序中在硅基板產(chǎn)生的殘留應(yīng)變小的玻璃基板和玻璃基板的制造方法。另外，本發(fā)明提供使用該玻璃基板的層疊基板。另外，本發(fā)明提供玻璃基板、層疊基板或玻璃基板的制造方法，所述玻璃基板是用于半導(dǎo)體制造工藝用支撐基板和罩玻璃中的至少一者的玻璃基板，磨削率高、加工性優(yōu)異。

本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過使玻璃的組成以及熱膨脹系數(shù)、楊氏模量和密度等特性為特定范圍，能夠得到磨削率高且熱膨脹系數(shù)與硅基板相匹配的玻璃基板，從而完成本發(fā)明。