[發明專利]TFT面板型指紋識別傳感器

在審

• 申請號: 201780030658.9
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN109154982A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 許崗;金厚植
• 申請（專利權）人: 株式會社福微視
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;H01L29/786;H01L21/31;H01L27/146
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種薄膜晶體管(TFT)面板型指紋識別傳感器，包括：

全反射單元，用于全反射從光源發出的光；

光電二極管，用于感測從所述全反射單元反射的光；以及

TFT面板，用于處理從所述光電二極管輸出的電壓以執行成像。

2.根據權利要求1所述的TFT面板型指紋識別傳感器，其中所述全反射單元包括玻璃基板，其作為導光板用于全反射。

3.根據權利要求1所述的TFT面板型指紋識別傳感器，還包括：

玻璃基板，其由折射率大于空氣折射率的材料制成；

絕緣層，其設置在所述玻璃基板下方；

介電層，其形成在所述絕緣層下方；

支撐玻璃，其形成在所述介電層下方；和

反射片，其形成在所述支撐玻璃下方，

其中所述光電二極管和所述TFT面板形成在所述介電層內。

4.根據權利要求3所述的TFT面板型指紋識別傳感器，其中所述玻璃基板的最佳厚度形成為：在保持耐久性和分辨率的平衡條件下選自100μm至400μm的范圍。

5.根據權利要求3所述的TFT面板型指紋識別傳感器，其中所述絕緣層從以下組中選出至少一種形成：二氧化硅(nd＝1.46)、氮化硅(nd＝2)、氧化鉿(nd＝1.9)、氧化鋁(nd＝1.76)和氧化釔(nd＝1.93)。

6.根據權利要求3所述的TFT面板型指紋識別傳感器，其中所述介電層形成為包括含氟聚合物基均聚物或共聚物。

7.根據權利要求1所述的TFT面板型指紋識別傳感器，其中所述光源發射可見光波段中的光，并且形成為從玻璃基板的側面發射光。

8.根據權利要求1所述的TFT面板型指紋識別傳感器，其中

所述TFT面板形成在介電層中、且形成在玻璃基板下方的絕緣層上；以及

所述光電二極管的一個電極形成為連接到所述TFT面板，且所述光電二極管的另一個電極形成為連接到電極層，所述電極層施加有偏壓。

9.根據權利要求8所述的TFT面板型指紋識別傳感器，其中

所述光電二極管的一個端子連接到TFT面板，形成為透明電極；且

所述光電二極管的另一個端子連接到電極層，形成為不透明電極。

10.根據權利要求9所述的TFT面板型指紋識別傳感器，其中

所述透明電極從以下組中選出至少一種形成：金屬網，銀納米線，氧化銦錫(ITO)，氧化銻錫(ATO)，氧化鎵鋅(GZO)，氧化鋁鋅(AZO)，氧化銦鋅(IZO)，摻雜銦/鎵的ZnO(IGZO)，摻雜鎂的ZnO(MZO)，摻雜鉬的ZnO，摻雜鋁的MgO，摻雜鎵的MgO，摻雜氟的SnO₂，摻雜鈮的TiO₂，CuAlO₂，導電聚合物，碳納米管，石墨烯；以及

所述不透明電極從以下組中選出至少一種形成：Al，金(Au)，銀(Ag)，銅(Cu)，鉑(Pt)，鎢(W)中，鎳(Ni)，Zn，鈦(Ti)，鋯(Zr)，鉿(Hf)，鎘(Cd)，銠(Rh)，銥(Ir)，鈷(Co)，碲(Te)，鉬(Mo)，鐵(Fe)，錳(Mn)，鈮(Nb)，鍺(Ge)，鋨(Os)，釩(V)和鉛(Pb)。

11.根據權利要求1所述的TFT面板型指紋識別傳感器，其中所述全反射單元包括鈍化層，所述鈍化層具有涂覆有透明薄膜或者附有鋼化玻璃的上部。

12.根據權利要求1所述的TFT面板型指紋識別傳感器，還包括

透明薄膜；

鈍化層，其設置在所述透明薄膜下方；

介電層，其形成在所述鈍化層下方；以及

玻璃基板，其形成在所述介電層下方，

其中所述光電二極管和所述TFT面板形成在所述介電層內。