[發(fā)明專利]電子元件、包含半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)體及電子元件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780030573.0
• 申請(qǐng)日: 2017-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN109155259B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 堀田吉?jiǎng)t;山下廣祐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士膠片株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01R11/01
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王亞愛

1.一種電子元件，其特征在于，

具有半導(dǎo)體芯片及各向異性導(dǎo)電性部件，

所述半導(dǎo)體芯片具備設(shè)置有多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的元件區(qū)域，

所述各向異性導(dǎo)電性部件為如下部件，其具備：絕緣性基材，由無機(jī)材料構(gòu)成；及由導(dǎo)電材料構(gòu)成的多個(gè)導(dǎo)通路，該多個(gè)導(dǎo)通路向所述絕緣性基材的厚度方向貫通，并以相互電絕緣的狀態(tài)設(shè)置，

所述各向異性導(dǎo)電性部件以光能夠在所述元件區(qū)域的至少兩個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中透射的方式配置在所述半導(dǎo)體芯片上，

所述各向異性導(dǎo)電性部件在所述元件區(qū)域的整個(gè)區(qū)域中配置有所述絕緣性基材，在所述元件區(qū)域的至少兩個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中，不存在所述絕緣性基材中的所述導(dǎo)通路。

2.一種包含半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)體，其特征在于，具有：

多個(gè)半導(dǎo)體芯片，具備設(shè)置有多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的第一元件區(qū)域；

半導(dǎo)體晶片，具備多個(gè)設(shè)置有多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的第二元件區(qū)域；及

多個(gè)各向異性導(dǎo)電性部件，

所述各向異性導(dǎo)電性部件為如下部件，其具備：絕緣性基材，由無機(jī)材料構(gòu)成；及由導(dǎo)電材料構(gòu)成的多個(gè)導(dǎo)通路，該多個(gè)導(dǎo)通路向所述絕緣性基材的厚度方向貫通，并以相互電絕緣的狀態(tài)設(shè)置，

所述半導(dǎo)體芯片的所述第一元件區(qū)域與所述半導(dǎo)體晶片的所述第二元件區(qū)域經(jīng)由所述各向異性導(dǎo)電性部件接合，且所述各向異性導(dǎo)電性部件以光能夠在所述第一元件區(qū)域及所述第二元件區(qū)域的至少兩個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中透射的方式配置，

所述各向異性導(dǎo)電性部件在所述第一元件區(qū)域及所述第二元件區(qū)域的整個(gè)區(qū)域配置有所述絕緣性基材，在所述第一元件區(qū)域及所述第二元件區(qū)域的至少兩個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中，不存在所述絕緣性基材中的所述導(dǎo)通路。

3.一種電子元件的制造方法，其特征在于，

針對(duì)具備多個(gè)設(shè)置有多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的第一元件區(qū)域的第一半導(dǎo)體晶片、將使表征各向異性導(dǎo)電性的區(qū)域形成為規(guī)定的圖案狀的各向異性導(dǎo)電性部件設(shè)置在支撐體上的各向異性導(dǎo)電材料、及具備設(shè)置有多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的第二元件區(qū)域的第二半導(dǎo)體晶片，具有如下工序：

將所述各向異性導(dǎo)電材料的所述各向異性導(dǎo)電性部件接合于所述第一半導(dǎo)體晶片的所述第一元件區(qū)域，以使光能夠在所述第一元件區(qū)域的至少兩個(gè)所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中透射的工序；

移除所述各向異性導(dǎo)電材料的所述支撐體的工序；

關(guān)于所述第一半導(dǎo)體晶片，按每個(gè)所述第一元件區(qū)域進(jìn)行單片化，獲得多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工序；以及

使用所述半導(dǎo)體芯片的所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行所述半導(dǎo)體芯片與所述第二元件區(qū)域的位置對(duì)準(zhǔn)，并經(jīng)由所述各向異性導(dǎo)電性部件將所述半導(dǎo)體芯片接合于所述第二元件區(qū)域的工序；以及

所述各向異性導(dǎo)電性部件為如下部件，其具備：絕緣性基材，由無機(jī)材料構(gòu)成；及由導(dǎo)電材料構(gòu)成的多個(gè)導(dǎo)通路，該多個(gè)導(dǎo)通路向所述絕緣性基材的厚度方向貫通，并以相互電絕緣的狀態(tài)設(shè)置，

所述各向異性導(dǎo)電性部件在所述第一元件區(qū)域以及所述第二元件區(qū)域的整個(gè)區(qū)域配置有所述絕緣性基材，在所述第一元件區(qū)域以及所述第二元件區(qū)域的至少兩個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中，不存在所述絕緣性基材中的所述導(dǎo)通路。

4.一種電子元件的制造方法，其特征在于，

在具備設(shè)置有多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的第一元件區(qū)域的、多個(gè)半導(dǎo)體芯片及具備多個(gè)第二元件區(qū)域的第二半導(dǎo)體晶片中，具有如下工序：

使用所述半導(dǎo)體芯片的所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行所述半導(dǎo)體芯片與所述第二元件區(qū)域的位置對(duì)準(zhǔn)，并經(jīng)由各向異性導(dǎo)電性部件將所述半導(dǎo)體芯片接合于所述第二元件區(qū)域的工序；以及

所述第二元件區(qū)域具備多個(gè)所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，且設(shè)置有使表征各向異性導(dǎo)電性的區(qū)域形成為規(guī)定的圖案狀以使光能夠在至少兩個(gè)所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中透射的所述各向異性導(dǎo)電性部件，

所述各向異性導(dǎo)電性部件為如下部件，其具備：絕緣性基材，由無機(jī)材料構(gòu)成；及由導(dǎo)電材料構(gòu)成的多個(gè)導(dǎo)通路，該多個(gè)導(dǎo)通路向所述絕緣性基材的厚度方向貫通，并以相互電絕緣的狀態(tài)設(shè)置，

所述各向異性導(dǎo)電性部件在所述第一元件區(qū)域以及所述第二元件區(qū)域的整個(gè)區(qū)域配置有所述絕緣性基材，在所述第一元件區(qū)域以及所述第二元件區(qū)域的至少兩個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域中，不存在所述絕緣性基材中的所述導(dǎo)通路。