[發明專利]雙側電路

有效

• 申請號: 201780030358.0
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN109155617B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: C·H·蕓;D·F·伯迪;左丞杰;D·D·金;金鐘海;M·F·維勒茲;N·S·穆達卡特;R·P·米庫爾卡
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03H7/01
• 分類號: H03H7/01;H03H7/09;H01P1/203;H05K1/18;H01F5/00;H01F41/04
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種電路設備，包括：

絕緣體，具有第一表面、第二表面和外圍；

電路元件的第一子集，布置在所述第一表面上；

電路元件的第二子集，布置在所述第二表面上；以及

至少一個導電側壁，布置在所述外圍上，

其中所述至少一個導電側壁將所述電路元件的第一子集電耦合至所述電路元件的第二子集，

其中所述電路元件的第一子集包括第一電容器，并且

其中所述第一電容器包括與所述絕緣體的所述第一表面接觸的第一內部導電層、與所述第一內部導電層接觸的第一介電層、以及與所述第一介電層接觸的第一中間導電層。

2.根據權利要求1所述的電路設備，其中：

所述絕緣體包括玻璃；以及

所述絕緣體的厚度大于所述電路元件的第一子集的厚度并大于所述電路元件的第二子集的厚度。

3.根據權利要求1所述的電路設備，其中，所述電路元件的第一子集被配置為對第一頻帶濾波，并且所述電路元件的第二子集被配置為對第二頻帶濾波，所述第二頻帶高于所述第一頻帶。

4.根據權利要求1所述的電路設備，其中：

所述電路元件的第一子集還包括第一電感器；以及

所述電路元件的第二子集包括具有比所述第一電感器更低電感的第二電感器，以及具有比所述第一電容器更低電容的第二電容器。

5.根據權利要求4所述的電路設備，其中，所述第一電感器是第一螺旋電感器且所述第二電感器是第二螺旋電感器。

6.根據權利要求4所述的電路設備，其中，所述電路設備進一步包括在所述絕緣體的所述第一表面上的第一中間絕緣體以及在所述絕緣體的所述第二表面上的第二中間絕緣體，以及其中：

所述第一電感器包括與所述第一中間絕緣體接觸的第一內部導電子層、與所述第一內部導電子層接觸的第一絕緣子層、以及與所述第一絕緣子層接觸的第一外部導電子層；以及

所述第二電感器包括與所述第二中間絕緣體接觸的第二內部導電子層、與所述第二內部導電子層接觸的第二絕緣子層、以及與所述第二絕緣子層接觸的第二外部導電子層。

7.根據權利要求4所述的電路設備，其中：

所述第二電容器包括與所述絕緣體的所述第二表面接觸的第二內部導電層、與所述第二內部導電層接觸的第二介電層、以及與所述第二介電層接觸的第二中間導電層。

8.根據權利要求7所述的電路設備，其中，所述電路設備進一步包括在所述絕緣體的所述第一表面上的第一中間絕緣體以及在所述絕緣體的所述第二表面上的第二中間絕緣體，所述第一電容器嵌入在所述第一中間絕緣體中并且所述第二電容器嵌入在所述第二中間絕緣體中，其中：

所述第一電感器包括與所述第一中間絕緣體接觸的第一內部導電子層、與所述第一內部導電子層接觸的第一絕緣子層、以及與所述第一絕緣子層接觸的第一外部導電子層；以及

所述第二電感器包括與所述第二中間絕緣體接觸的第二內部導電子層、與所述第二內部導電子層接觸的第二絕緣子層、以及與所述第二絕緣子層接觸的第二外部導電子層。

9.根據權利要求8所述的電路設備，進一步包括：

一個或多個第一過孔，被布置在所述第一中間絕緣體中并且被配置用于將所述第一電感器耦合至所述第一電容器；以及

一個或多個第二過孔，被布置在所述第二中間絕緣體中并且被配置用于將所述第二電感器耦合至所述第二電容器。

10.根據權利要求1所述的電路設備，其中，所述至少一個導電側壁包括一個或多個電路接觸表面，所述一個或多個電路接觸表面包括以下項中的一個或多個：

低頻帶接觸表面，電耦合至所述電路元件的第一子集；

高頻帶接觸表面，電耦合至所述電路元件的第二子集；以及

天線接觸表面，被配置用于將所述電路元件的第一子集和所述電路元件的第二子集中的一個或多個電耦合至天線。