[發明專利]具有增加的動態測量范圍的BAW傳感器流體裝置

有效

• 申請號: 201780029007.8
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN109073601B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: B.默多克;R.里瓦斯
• 申請（專利權）人: QORVO美國公司
• 主分類號: G01N29/02
• 分類號: G01N29/02;G01N29/22
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 鄒松青;譚祐祥

1.一種流體裝置，所述流體裝置包括：

基底結構，所述基底結構包括：（i）基板；（ii）由所述基板支撐的至少一個體聲波諧振器結構，所述至少一個體聲波諧振器結構包括壓電材料、布置在所述壓電材料的一部分上方的頂側電極、以及布置在所述壓電材料的至少一部分下方的底側電極，其中，所述壓電材料的一部分布置在所述頂側電極與所述底側電極之間以形成活性區域；以及（iii）功能化材料，所述功能化材料布置在所述至少一個體聲波諧振器結構的所述活性區域的至少一部分上方以形成至少一個功能化活性區域；

壁結構，所述壁結構布置在所述基底結構的至少一部分上方，并且限定流體通道的側向邊界，所述流體通道包含所述活性區域并且被構造成接收包括多種組分的流體；以及

蓋結構，所述蓋結構布置在所述壁結構上方并且限定所述流體通道的上邊界；

其中，所述基底結構限定所述流體通道的下邊界；以及

其中，所述壁結構、所述蓋結構、或所述基底結構的與所述活性區域不重合的部分中的一者或多者包括附加功能化材料，以形成被構造成結合至少一種分析物的至少一個吸收器。

2.根據權利要求1所述的流體裝置，其中，所述至少一個功能化活性區域包括暴露于所述流體通道的第一聚集表面區域，并且所述至少一個吸收器包括暴露于所述流體通道的第二聚集表面區域，所述第二聚集表面區域大于暴露于所述流體通道的所述第一聚集表面區域。

3.根據權利要求2所述的流體裝置，其中，暴露于所述流體通道的所述第二聚集表面區域是暴露于所述流體通道的第一聚集表面區域的至少10倍大。

4.根據權利要求1所述的流體裝置，其中，所述至少一個吸收器的附加功能化材料與所述至少一個功能化活性區域的功能化材料包括相同的化學或生物學成分。

5.根據權利要求1所述的流體裝置，所述流體裝置還包括阻擋材料，所述阻擋材料布置在所述壁結構、所述蓋結構或所述基底結構中的一者或多者的至少一部分上方，在與所述功能化材料或所述附加功能化材料不重合的位置處。

6.根據權利要求1所述的流體裝置，其中，所述壁結構和所述蓋結構以整體的主體結構實現。

7.根據權利要求1所述的流體裝置，其中，所述壁結構和所述基底結構以整體的主體結構實現。

8.根據權利要求1所述的流體裝置，其中，所述蓋結構包括蓋層，所述壁結構包括至少一個壁層，并且所述至少一個壁層布置在所述基底結構與所述蓋層之間。

9.根據權利要求1所述的流體裝置，其中，所述基底結構還包括布置在所述基板與所述至少一個體聲波諧振器結構之間的至少一個聲反射器元件。

10.根據權利要求1所述的流體裝置，其中，所述基板限定布置在所述活性區域下方的凹部。

11.根據權利要求1所述的流體裝置，其中，所述壓電材料包括這樣的c軸：所述c軸具有主要地不平行于所述基板的表面的法線的取向分布。

12.根據權利要求1所述的流體裝置，所述流體裝置還包括自組裝單層，所述自組裝單層被布置在所述至少一種功能化活性區域的功能化材料與所述頂側電極之間。

13.根據權利要求12所述的流體裝置，所述流體裝置還包括布置在所述自組裝單層與所述頂側電極之間的界面層。

14.根據權利要求13所述的流體裝置，所述流體裝置還包括布置在所述界面層與所述頂側電極之間的密封性層。