[發(fā)明專利]于氮離子植入中改善離子源效能的氟化組合物有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780028783.6 | 申請日： | 2017-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN109196617B | 公開（公告）日： | 2021-02-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | B·L·尚貝爾;B·T·天;J·D·斯威尼;唐瀛;O·比爾;S·E·畢曉普;S·N·葉達弗 | 申請（專利權(quán)）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分類號： | H01J37/02 | 分類號： | H01J37/02;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 顧晨昕 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 離子 植入 改善 離子源 效能 氟化 組合 | ||
1.一種氮離子植入組合物，其用于在氮離子植入后進行在所述氮離子植入后時易于發(fā)生故障的另一離子植入操作時抵抗離子植入系統(tǒng)中的故障，所述氮離子植入組合物包含氮N2摻雜劑氣體和包含NF3的故障抑制氣體，其中所述離子植入系統(tǒng)經(jīng)配置使得在氮離子植入后進行易于發(fā)生故障的另一離子植入操作時，所述氮離子植入組合物抑制故障。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮離子植入組合物，其中所述故障抑制氣體是以所述氮離子植入組合物的5體積％到45體積％的量存在。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮離子植入組合物，其中所述故障抑制氣體是以2體積％到15體積％的量存在。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮離子植入組合物，其中所述組合物中NF3氣體的量介于約2體積％到約8體積％的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮離子植入組合物，其中所述組合物中NF3氣體的量為約5體積％。
6.一種用于向離子植入系統(tǒng)供應氮離子植入組合物的氣體供應包裝，其中所述氣體供應包裝包含氣體儲存和分配容器，所述氣體儲存和分配容器含有根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮離子植入組合物。
7.一種供應用于氮離子植入的氣體的方法，其包含：
將所述氣體以包裝形式遞送到離子植入系統(tǒng)，所述包裝形式包含以下各項中的至少一項：
(i)氣體供應包裝，其包含含有氮離子植入組合物的氣體儲存和分配容器，所述氮離子植入組合物包含氮N2摻雜劑氣體和包含NF3的故障抑制氣體；和
(ii)用于向離子植入系統(tǒng)供應氮離子植入組合物的氣體供應試劑盒，其中所述氣體供應試劑盒包含含有氮N2摻雜劑氣體的第一氣體儲存和分配容器，和含有包含NF3的故障抑制氣體的第二氣體儲存和分配容器；
利用所述氮N2摻雜劑氣體和所述故障抑制氣體進行氮離子植入過程；和
在所述氮離子植入過程之后，利用易于引起故障的摻雜劑氣體進行第二離子植入過程，進而抑制所述故障。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于恩特格里斯公司，未經(jīng)恩特格里斯公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780028783.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
