[發明專利]間接帶隙發光器件

在審

• 申請號: 201780028588.3
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN110140209A
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 彼得魯斯·約翰內斯·文特爾;馬里烏斯·歐熱內·古森;克里斯托·讓森·萬·倫斯堡;尼克拉斯·馬托伊斯·富爾
• 申請（專利權）人: 因西亞瓦(控股)有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L33/18;H01L33/26;H05B37/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 杜誠;張維克

1.一種間接帶隙發光器件，包括：

非單晶間接帶隙半導體材料的第一體；

具有第一摻雜類型和第一摻雜濃度的所述第一體的第一區；

具有第二摻雜類型和第二摻雜濃度的所述第一體的第二區；

在所述第一區與所述第二區之間形成的至少一個結；

端子排布，連接至所述第一體且被布置成反向偏置所述結以發光；以及

基板，由此所述第一體整體地形成為所述基板的一部分，并且由此，從半導體的沉積層形成所述第一體以形成所述基板的組成部分。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述基板是多材料基板。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述基板是單材料基板。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一體的晶體結構具有從非晶跨越多晶直到但不包括單晶的連續體內的特性。

5.根據權利要求4所述的發光器件，其中，所述第一體的所述晶體結構是多晶或非晶的。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其中，作為用于制造集成電路的制造工藝的一部分，所述第一體被沉積在所述基板上。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述非單晶間接帶隙半導體材料是硅材料。

8.一種集成電路，所述集成電路包括：

根據權利要求1所述的發光器件；以及

單晶間接帶隙半導體材料的第二體。

9.根據權利要求8所述的集成電路，其中，通過第三體將所述第一體與所述第二體分開。

10.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第三體被配置成將所述第一體和所述第二體彼此電隔離。

11.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第一體是多晶硅層。

12.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第二體和所述第三體形成所述基板的一部分。

13.根據權利要求9所述的集成電路，其中，存在由所述非單晶材料形成的橫向分布在所述單晶第二體上方的所述第一體的多個實例。

14.根據權利要求9所述的集成電路，其中，存在垂直分布且形成所述第一體的多個實例的所述非單晶材料的多個層。

15.根據權利要求14所述的集成電路，其中，所述多個層在所述集成電路的制造期間沉積，通過所述第三體將所述多個層中的每個層分開，其中所述第三體是不導電絕緣層。

16.根據權利要求15所述的集成電路，其中，所述多個層中至少一層被用于創建被動電路元件。

17.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第三體包括多個層，所述多個層包括但不限于一組金屬間隔離層、金屬層或其他半導體材料。

18.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第三體包括具有所述第一體與所述第二體之間的不導電區域或絕緣區域的至少一個層。

19.根據權利要求18所述的集成電路，其中，所述第三體包括熱生長SiO2層、沉積SiO2層、Si3N4層、氣體層、真空層或聚合物層中至少之一。

20.根據權利要求9所述的集成電路，其中，在所述第二體中形成有光敏區。