[發(fā)明專利]蝕刻方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780028484.2 | 申請日： | 2017-05-02 |
| 公開（公告）號： | CN109075068B | 公開（公告）日： | 2023-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 渡邊光;海老原良介 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 蝕刻 方法 | ||
1.一種蝕刻方法，其將包括氮化硅區(qū)域和具有與所述氮化硅區(qū)域不同的組成的含硅區(qū)域的被處理體收納在處理容器內(nèi)，有選擇地對所述氮化硅區(qū)域進(jìn)行蝕刻，所述蝕刻方法的特征在于，包括：
在所述處理容器內(nèi)生成包含氫氟烴氣體的處理氣體的等離子體，在所述氮化硅區(qū)域和所述含硅區(qū)域上形成包含氫氟烴的沉積物的第一步驟；和
對所述沉積物進(jìn)行濺射，利用所述沉積物中所包含的氫氟烴的自由基，對所述氮化硅區(qū)域進(jìn)行蝕刻的第二步驟，
在所述第一步驟中，在所述氮化硅區(qū)域上形成的所述沉積物的沉積量少于在所述含硅區(qū)域上形成的所述沉積物的沉積量，
交替地反復(fù)進(jìn)行所述第一步驟和所述第二步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述含硅區(qū)域包含選自SiC、SiOC、SiON、SiCN、SiOCN和SiO2中的至少1種硅化合物。
3.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述氫氟烴氣體包含選自CH3F、CH2F2和CHF3中的至少1種氣體。
4.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：
設(shè)定所述第一步驟的時間長度與所述第二步驟的時間長度的比率，以使得所述氮化硅區(qū)域的蝕刻量為所述含硅區(qū)域的蝕刻量的5倍以上。
5.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：
在所述第二步驟中，通過將所述沉積物暴露在稀有氣體的等離子體中，產(chǎn)生所述沉積物所包含的氫氟烴的自由基。
6.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述處理氣體實(shí)質(zhì)上不含氧。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
