[發(fā)明專利]用于數(shù)據(jù)高速緩存的方法和設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780026279.2
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN109154909B
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梶谷和彥
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F12/0802
• 分類號: G06F12/0802;G06F13/16
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及于數(shù)據(jù)高速緩存。描述用于操作存儲器裝置的方法、系統(tǒng)及裝置。一種方法包含：在執(zhí)行存儲器單元的第一讀取后即刻將所述存儲器單元的數(shù)據(jù)高速緩存于行緩沖器的感測放大器處；確定在執(zhí)行所述存儲器單元的所述第一讀取之后執(zhí)行所述存儲器單元的至少第二讀取；及針對所述存儲器單元的至少所述第二讀取從所述感測放大器讀取所述存儲器單元的所述數(shù)據(jù)。

交叉參考

本專利申請案主張于2017年4月25日提出申請的標(biāo)題為“數(shù)據(jù)高速緩存(DataCaching)”的第PCT/US2017/029420號PCT申請案的優(yōu)先權(quán)，所述PCT申請案主張Kajigaya于2016年4月27日提出申請的標(biāo)題為“數(shù)據(jù)高速緩存(Data Caching)”的第15/140,073號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)，所述PCT申請案及所述美國專利申請案中之每一者指派給其受讓人且以全文引用方式清楚地并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

技術(shù)領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)高速緩存。

背景技術(shù)

下文一般來說涉及存儲器裝置，且更具體來說涉及數(shù)據(jù)高速緩存。

存儲器裝置廣泛地用于將信息存儲于例如計算機(jī)、無線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器及類似者的各種電子裝置中。通過編程存儲器裝置的不同狀態(tài)而存儲信息。舉例來說，二進(jìn)制裝置具有兩種狀態(tài)，通常由邏輯“1”或邏輯“0”表示。在其它系統(tǒng)中，可存儲多于兩種狀態(tài)。為存取所存儲信息，電子裝置可讀取或感測存儲器裝置中的所存儲狀態(tài)。為存儲信息，電子裝置可將狀態(tài)寫入或編程于存儲器裝置中。

存在各種類型的存儲器裝置，包含隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)RAM(DRAM)、同步動態(tài)RAM(SDRAM)、FeRAM、相變RAM(PCRAM)、自旋轉(zhuǎn)矩RAM(STT-RAM)、電阻式RAM(ReRAM)、磁性RAM(MRAM)、快閃存儲器及其它存儲器裝置。存儲器裝置可為易失性的或非易失性的。非易失性存儲器(例如，快閃存儲器)可甚至在不存在外部電源的情況下存儲數(shù)據(jù)達(dá)延長時間周期。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)可隨著時間而失去其所存儲狀態(tài)，除非其由外部電源周期性地刷新。二進(jìn)制存儲器裝置可(舉例來說)包含經(jīng)充電或經(jīng)放電電容器。經(jīng)充電電容器可隨著時間而通過泄漏電流被放電，從而導(dǎo)致所存儲信息的失去。易失性存儲器的特定實施例可提供性能優(yōu)點，例如較快讀取或?qū)懭胨俣龋瑫r非易失性存儲器的方面(例如在不具有周期性刷新的情況下存儲數(shù)據(jù)的能力)也可為有利的。

在一些情形中，F(xiàn)eRAM可以與DRAM的速度及非易失性性質(zhì)類似的速度及非易失性性質(zhì)來操作。然而，在這些情形中，在FeRAM的存儲器單元中使用的鐵電電容器可由于鐵電電容器內(nèi)的鐵電材料的重復(fù)極化及反轉(zhuǎn)而感到疲勞，從而導(dǎo)致剩余極化減少。而且，當(dāng)在相同極化方向上連續(xù)地實施寫入操作時，存儲器單元的磁滯特性的移位(稱為“印跡(in-print)”)可導(dǎo)致存儲器單元的重寫特性的后續(xù)降級。與DRAM相比較，F(xiàn)eRAM可因此在其壽命期間支持較少讀出及寫入操作。

發(fā)明內(nèi)容

描述一種操作存儲器裝置的方法。在一些實例中，所述方法可包含：在執(zhí)行存儲器單元的第一讀取之后即刻將所述存儲器單元的數(shù)據(jù)高速緩存于行緩沖器的感測放大器處；確定在執(zhí)行所述存儲器單元的所述第一讀取之后執(zhí)行所述存儲器單元的至少第二讀取；及針對所述存儲器單元的至少所述第二讀取從所述感測放大器讀取所述存儲器單元的所述數(shù)據(jù)。

在一些實例中，所述存儲器單元包括鐵電存儲器單元。在一些實例中，所述鐵電存儲器單元經(jīng)配置而以破壞性讀取模式來操作。在一些實例中，所述方法可包含：在將所述存儲器單元的所述數(shù)據(jù)高速緩存于所述感測放大器處之后將所述存儲器單元的所述數(shù)據(jù)回寫到所述存儲器單元。在一些實例中，所述方法可包含：在將所述存儲器單元的所述數(shù)據(jù)高速緩存于所述感測放大器處之前閉合隔離柵極，以將所述存儲器單元所耦合到的位線耦合到所述感測放大器；及在將所述存儲器單元的所述數(shù)據(jù)回寫到所述存儲器單元之后斷開所述隔離柵極，以將所述位線與所述感測放大器解耦。