[發明專利]抗蝕劑下層膜形成用組合物有效
| 申請號: | 201780025998.2 | 申請日: | 2017-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN109073977B | 公開(公告)日: | 2022-04-05 |
| 發明(設計)人: | 境田康志;高瀨顯司;岸岡高廣;坂本力丸 | 申請(專利權)人: | 日產化學株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/11 | 分類號: | G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 王磊;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗蝕劑 下層 形成 組合 | ||
本發明的課題是提供常溫下的保存穩定性優異的抗蝕劑下層膜形成用組合物。解決手段是一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物,其包含:含氮化合物、聚合物、促進交聯反應的化合物和有機溶劑,1分子所述含氮化合物中具有2~6個與氮原子鍵合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2~6個所述式(1)所示的取代基的含氮化合物為例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中,R1各自獨立地表示甲基或乙基,R2和R3各自獨立地表示氫原子、碳原子數1~4的烷基、或苯基。)
技術領域
本發明涉及改善了保存穩定性的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物及其制造方法、以及該抗蝕劑下層膜形成用組合物所包含的甘脲衍生物。
背景技術
專利文獻1中公開了一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物,其包含主鏈具有二硫鍵即“S-S鍵”的聚合物和溶劑,進一步包含交聯性化合物和磺酸化合物。
專利文獻2中公開了一種抗蝕劑下層膜形成用組合物,其含有(A)樹脂、(B)具有丁基醚基的交聯劑和(C)溶劑,該(B)具有丁基醚基的交聯劑為具有至少2個丁基醚基的含氮環狀化合物,該含氮環狀化合物為具有甘脲骨架或三嗪骨架的化合物。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:國際公開第2009/096340號
專利文獻2:國際公開第2008/143302號
發明內容
發明所要解決的課題
關于抗蝕劑下層膜形成用組合物,不僅關于由該組合物獲得的抗蝕劑下層膜的穩定性,而且近年來關于該組合物本身的保存穩定性應該滿足的基準越來越嚴。因此,要求抗蝕劑下層膜形成用組合物的保存穩定性的進一步提高,并要求即使在長期保存后,通過凝膠滲透色譜(以下,在本說明書中簡稱為GPC。)分析而獲得的、該組合物的GPC圖的峰等也沒有變化,即分子量分布沒有變化。
例如,在作為抗蝕劑下層膜形成用組合物的成分交聯性化合物和溶劑,分別使用具有烷氧基的含氮化合物、和含有具有羥基的醇類的有機溶劑的情況下,在磺酸化合物的存在下,該烷氧基與該具有羥基的醇類自發地反應。其結果,有時上述抗蝕劑下層膜形成用組合物的保存穩定性差。
用于解決課題的方法
本發明的第一方案是一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物,其包含:含氮化合物、聚合物、促進交聯反應的化合物和有機溶劑,1分子所述含氮化合物中具有2~6個與氮原子鍵合的下述式(1)所示的取代基。
(式中,R1表示甲基或乙基。)
1分子中具有2~6個上述式(1)所示的取代基的含氮化合物例如為下述式(1A)所示的甘脲衍生物。
(式中,4個R1各自獨立地表示甲基或乙基,R2和R3各自獨立地表示氫原子、碳原子數1~4的烷基、或苯基。)
本發明的第二方案是本發明的第一方案的光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物的制造方法,其包含:使1分子中具有2~6個與氮原子鍵合的下述式(2)所示的取代基的含氮化合物與下述式(3)所示的至少1種化合物反應來合成1分子中具有2~6個上述式(1)所示的取代基的含氮化合物,將1分子中具有2~6個上述式(1)所示的取代基的含氮化合物、上述聚合物、和上述促進交聯反應的化合物溶解于上述有機溶劑。
(式中,R1表示甲基或乙基,R4表示碳原子數1~4的烷基。)
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