[發明專利]具有減小弓曲的半導體結構的工業制造方法

有效

• 申請號: 201780025943.1
• 申請日: 2017-04-26
• 公開（公告）號: CN109075029B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 萊奧尼達·米格利奧
• 申請（專利權）人: 皮爾格洛斯技術有限責任公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種用于制造半導體結構(1)的方法，包括：

-提供第一半導體材料的至少第一層(2)的步驟，所述第一層包括沿著第一基準平面P1延伸的所述第一半導體材料的基板(3)，以及以2μm和6μm之間的分隔距離d相互間隔并且沿著垂直于所述第一基準平面P1的軸A從所述基板抬高地延伸的所述第一半導體材料的多個第一部分(4)，所述第一部分在相對于所述基板的遠端位置具有末端(41)；

-提供第二半導體材料的至少第二層(6)的步驟，所述第二層包括所述第二半導體材料的第二部分(7)，每個第二部分在所述基板(3)的相應的邊界區域(5)處連續地延伸并且接合到多個所述第一部分的所述末端(41)，所述第二部分以4μm和12μm之間的分隔距離s相互間隔并且沿著平行于所述第一基準平面P1的第二基準平面P2延伸；

其特征在于，所述第一部分(4)具有縱橫比R_A，所述縱橫比R_A根據以下類型的函數，取決于沿著所述第二基準平面P2或者平行平面的第二部分(7)的寬度w來計算：

R_A＝(h/b)＝C(w/W_R)^k1

其中：

h和b分別是所述第一部分(4)的高度和寬度，h在3μm和50μm之間，b在1μm和4μm之間，

W_R＝1000μm；

w是所述第二部分(7)的寬度，w在100μm和1000μm之間，

k1是低于1的系數，且0.5＝k1＝0.8；

C是取決于所述第一層(2)和第二層(6)的材料和厚度并且取決于針對所述半導體結構(1)所期望的最小曲率半徑R而計算的系數，其中10＝C＝50。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述第一部分(4)具有縱橫比R_A，所述縱橫比R_A根據如下類型的函數，取決于沿著所述第二基準平面P2或者平行平面的所述第二部分(7)的寬度w來計算：

R_A＝(h/b)＝-A+B(w/W_R)^k2

其中：

h和b分別是所述第一部分(4)的高度和寬度，h在3μm和50μm之間，b在1μm和4μm之間；

W_R＝1000μm；

w是所述第二部分(7)的寬度，w在100μm和1000μm之間；

k2是低于1的系數，且0.5＝k2＝0.8；

A、B是取決于所述第一層(2)和第二層(6)的材料和厚度并且取決于針對所述半導體結構(1)所期望的最小曲率半徑R而計算的系數，其中1＝A＝15；且10＝B＝50。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述系數C包括在如下范圍內：20＝C＝40。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于所述第一半導體材料是Si。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于所述第二半導體材料選自：SiC、GaN、Ge、GaAs或者選自III-V族中的另一種半導體材料。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于所述第一半導體材料是Si，并且所述第二半導體材料是3C-SiC相的SiC。