[發明專利]透明導電圖案的形成方法

有效

• 申請號: 201780025210.8
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN109074917B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 若林正一郎;山木繁
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;B41M1/12;C09D11/037;C09D11/52;H01B1/00;H01B1/22;H05K3/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王瀟悅;段承恩

課題是提供一種透明導電圖案的形成方法，在使用包含金屬納米線和/或金屬納米管作為導電成分的透明導電性墨的絲網印刷中，通過減輕對金屬納米線和/或金屬納米管的損傷，能夠采用簡易的制造工序形成透明導電圖案，抑制制造成本和環境負荷。解決手段是在使與絲網掩模(2)接觸的刮板頂端部的沖角為1～30°的范圍的情況下，將透明導電性墨(5)進行絲網印刷，透明導電性墨(5)包含金屬納米線與金屬納米管中的至少一者以及分散介質。

技術領域

本發明涉及透明導電圖案的形成方法。

背景技術

透明導電膜在液晶顯示器(LCD)、等離子顯示板(PDP)、有機電致發光 器件(OLED)、太陽能電池(PV)和觸摸屏(TP)的透明電極、防靜電(ESD)膜 以及電磁波屏蔽(EMI)膜等各種領域使用，要求(1)低表面電阻、(2)高透光 率、(3)高可靠性。

例如，對于LCD的透明電極，表面電阻處于10～300Ω/□的范圍內， 且透光率在可見光范圍為85％以上是合適的。更優選的范圍是表面電阻為 20～100Ω/□，且透光率為90％以上。對于OLED的透明電極，表面電阻處 于10～100Ω/□的范圍內，且透光率在可見光范圍為80％以上是合適的。更 優選的范圍是表面電阻為10～50Ω/□，且透光率為85％以上。對于PV的 透明電極，表面電阻處于5～100Ω/□的范圍內，且透光率在可見光范圍為65％以上是合適的。更優選的范圍是表面電阻為5～20Ω/□，且透光率為70％ 以上。對于TP的電極，表面電阻處于100～1000Ω/□的范圍內，且透光率 在可見光范圍為85％以上的合適的。更優選的是表面電阻處于150～500Ω/□ 的范圍內，且透光率在可見光范圍為90％以上。對于ESD膜，表面電阻 處于500～10000Ω/□的范圍內，且透光率在可見光范圍為90％以上是合適 的。更優選的是表面電阻處于1000～5000Ω/□的范圍內，且透光率在可見光 范圍為95％以上。

作為這些透明電極所使用的透明導電膜，以往一直使用ITO(氧化銦 錫)。但是，ITO所用的銦是稀有金屬，因此近年供給和價格的穩定化成為 課題。另外，ITO的制膜一直使用需要高真空的濺鍍法、蒸鍍法等，因此 需要真空制造裝置，不僅制造時間長，成本也變高。而且，ITO容易由于 彎曲等物理應力產生裂紋而損壞，因此難以對賦予了柔性的基板應用。因 此，消除了這些問題的ITO替代材料的探索正不斷推進，作為不需要使用 真空制造裝置的可涂布成膜材料，曾報道含有金屬納米線的導電性材料(參 照例如專利文獻1和非專利文獻1)等的含有納米結構的導電性成分的導電 性材料。

含有金屬納米線的導電性材料顯示低表面電阻和高透光率，而且也具 有柔性，因此適合作為“ITO替代材料”。

在此，透明導電膜為了作為透明電極使用，需要形成與用途相應的圖 案，作為采用含有金屬納米線的導電性材料形成圖案的方法，一般與ITO 的圖案形成同樣地應用使用了抗蝕劑材料的光刻法。在上述專利文獻1和 非專利文獻1的任一方法中，都需要在包含金屬納米線的層之上再形成用 于形成圖案的具有感光性的層的工序。另外，需要具有感光性的層的顯影 工序和露出的包含金屬納米線的層的除去工序，所以不僅會浪費除去區域 的銀納米線，還需要顯影液的廢液處理。而且，在具有感光性的層的顯影 和露出的包含金屬納米線的層的除去后，有時還需要具有感光性的層的除 去工序。

因此，希望采用噴墨印刷、絲網印刷、凹版印刷、柔性印刷之類的印 刷法，將銀納米線直接形成圖案。但是，進行印刷時需要粘合劑樹脂，且 為了確保透明性需要減少銀納米線的使用量，因此存在使用的粘合劑樹脂 被覆銀納米線的表面從而不體現導電性這樣的問題。另外，在不使用粘合 劑樹脂的情況下，存在印刷時無法確保圖案，或者即使在剛結束印刷后勉 強能夠確保圖案，在干燥溶劑時圖案也會走樣這樣的問題。