[發明專利]貼合式SOI晶圓的制造方法

有效

• 申請號: 201780024927.0
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN109075028B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 若林大士;目黑賢二;二井谷美保
• 申請（專利權）人: 信越半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/205;H01L27/12
• 代理公司: 北京京萬通知識產權代理有限公司 11440
• 代理人: 許天易

1.一種貼合式SOI晶圓的制造方法，將皆為硅單晶所構成的接合晶圓及基底晶圓透過絕緣膜予以貼合而制造貼合式SOI晶圓，該制造方法包含下列步驟：

于該基底晶圓被貼合的貼合面側予以堆積多晶硅層；

研磨該多晶硅層的表面而得到研磨面；

于該接合晶圓的貼合面形成該絕緣膜；

透過該絕緣膜將該基底晶圓的該多晶硅層的該研磨面與該接合晶圓予以貼合；以及

將經貼合的該接合晶圓予以薄膜化而形成SOI層，

其中，使用電阻率100Ω·cm以上之單晶硅晶圓作為該基底晶圓，

堆積該多晶硅層的步驟，更包含于該基底晶圓的堆積該多晶硅層的表面上預先形成氧化膜的階段，

該多晶硅層的堆積是通過在升溫至規定溫度為止之際中供給該多晶硅層的原料氣體且升溫至1000℃以上的該規定溫度，之后接續著連續在該規定溫度下供給該多晶硅層的原料氣體而進行。

2.如權利要求1所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中該氧化膜是通過濕洗凈所形成。

3.如權利要求1所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中該規定溫度為1150℃以下。

4.如權利要求2所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中該規定溫度為1150℃以下。

5.如權利要求1至4中任一項所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中在升溫至該規定溫度為止之際中的開始供給該多晶硅層的原料氣體的溫度為600℃～980℃的范圍內的溫度。