[發(fā)明專利]具有等離子體限制特征的基板支撐基座有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780024022.3 | 申請日: | 2017-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN109314039B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林興;周建華;E·P·哈蒙德四世;Z·J·葉;Z·蘇;J·趙;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/205;H01L21/683;H01L21/67;H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 等離子體 限制 特征 支撐 基座 | ||
1.一種基板支撐基座,包括:
陶瓷主體,具有頂面及底面;
柱,耦合至所述主體的所述底面;
頂電極,安置在所述主體內(nèi),所述頂電極安置在所述主體的所述頂面附近;
屏蔽電極,安置在所述主體內(nèi),所述屏蔽電極安置在所述主體的所述底面附近;
導(dǎo)電桿,安置成穿過所述柱且耦合至所述頂電極;以及
多個加熱器元件,安置在所述主體內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的基板支撐基座,還包括:
接地網(wǎng),安置在所述主體內(nèi),所述接地網(wǎng)安置在所述主體的所述底面附近;以及
接地管,安置成穿過所述柱且耦合至所述接地網(wǎng),所述接地管具有內(nèi)中空部分,其中所述導(dǎo)電桿被安置成穿過所述接地管的所述內(nèi)中空部分。
3.如權(quán)利要求2所述的基板支撐基座,還包括:
加熱器電力供應(yīng)線路,耦合至所述加熱器元件,其中所述加熱器電力線路被安置成穿過所述柱。
4.如權(quán)利要求3所述的基板支撐基座,其中所述加熱器電力供應(yīng)線路被安置成穿過所述接地管的所述內(nèi)中空部分。
5.如權(quán)利要求3所述的基板支撐基座,其中所述加熱器電力供應(yīng)線路被安置在所述接地管的所述內(nèi)中空部分外面。
6.如權(quán)利要求3所述的基板支撐基座,其中所述桿為具有圓柱形形狀的RF管,其中所述加熱器電力供應(yīng)線路被安置在所述RF管內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的基板支撐基座,其中所述桿具有安置在與所述頂電極相對的末端處的電容器,其中所述桿通過所述電容器耦合至接地,其中所述電容器被配置為用于變化所述桿的阻抗。
8.一種半導(dǎo)體處理腔室,包括:
主體,具有側(cè)壁、蓋和底部,其中所述側(cè)壁、蓋及底部定義內(nèi)部處理環(huán)境;
噴淋頭組件,具有面板,所述面板向RF源提供陰極;以及
基座,安置在所述處理環(huán)境中,所述基座包括:
柱;
主體,包括陶瓷材料,所述主體具有頂面及底面,其中所述底面耦合至所述柱;
電極,封裝在所述主體內(nèi),所述電極安置在所述頂面附近且具有被安置成穿過所述柱的中心電極;
多個加熱器元件,封裝在所述主體內(nèi),所述多個加熱器元件具有被安置成穿過所述柱的加熱器電極;以及
底部網(wǎng),封裝在所述主體內(nèi),其中所述中心電極安置在所述底部網(wǎng)的傳輸與返回電極之間。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理腔室,還包括:
接地管,被安置成穿過所述柱且耦合至所述底部網(wǎng),所述接地管具有內(nèi)中空部分,其中所述中心電極被安置成穿過所述內(nèi)中空部分,其中所述加熱器電極被安置成穿過所述接地管的所述內(nèi)中空部分。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理腔室,其中所述加熱器電極被安置在所述接地管的所述內(nèi)中空部分外。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理腔室,其中所述中心電極為具有圓柱形形狀的RF管。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理腔室,其中所述加熱器電力供應(yīng)線路被安置在所述RF管內(nèi)。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理腔室,其中所述加熱器電力供應(yīng)線路被安置在所述RF管外。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理腔室,其中所述中心電極具有電容,所述電容安置在與所述電極相對的末端處從而形成虛擬接地,其中所述中心電極通過所述電容器耦合至接地桿,其中所述電容器被配置為用于變化所述中心電極的阻抗。
15.一種基板支撐基座,包括:
陶瓷主體,具有頂面及底面;
柱,耦合至所述主體的所述底面;
頂電極,安置在所述主體內(nèi),所述頂電極安置在所述主體的所述頂面附近;
多個加熱器元件,安置在所述主體內(nèi)、在所述頂電極之間;
屏蔽電極,安置在所述主體內(nèi),所述屏蔽電極安置在所述主體的所述底面附近;
接地管,安置在所述柱中且耦合至所述屏蔽電極,其中所述接地管在形狀上為圓柱體;
多個加熱器傳輸線路,耦合至所述多個加熱器元件且安置在所述接地管的所述圓柱體內(nèi);
RF管,安置在所述柱中的所述接地管內(nèi)且電耦合至所述頂電極,其中所述RF管在形狀上是圓柱形的且具有安置在其中的所述加熱器傳輸線路。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





