[發(fā)明專利]處理衛(wèi)生水系統(tǒng)的衛(wèi)生水回路的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780023578.0 | 申請日: | 2017-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN109071285B | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | P·迪斯高斯 | 申請(專利權(quán))人: | 迪潘有限公司 |
| 主分類號: | C02F1/68 | 分類號: | C02F1/68;C02F5/08;C23F11/18;F24D19/00;C02F1/02 |
| 代理公司: | 上海一平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31266 | 代理人: | 馬莉華;徐迅 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 衛(wèi)生 水系 回路 方法 | ||
一種處理衛(wèi)生水系統(tǒng)的衛(wèi)生水回路的方法,包括將包含硅酸鹽的處理產(chǎn)品注入所述回路中的流動(dòng)的水中,用于在所述回路的內(nèi)表面上形成薄膜,其特征在于,所述處理產(chǎn)品的注入包括至少一步注入濃度為100至200,000毫克/升(mg/L)的硅酸鹽到于所述回路中流動(dòng)的水中持續(xù)10分鐘(min)至24小時(shí)(h)的時(shí)間,在所述回路中流動(dòng)的水的流量被控制在0.05至100升/分鐘(L/min)的范圍內(nèi),且在所述回路中流動(dòng)的水的溫度控制在40至65℃的范圍內(nèi)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種處理衛(wèi)生水設(shè)施管道內(nèi)表面的方法。
背景技術(shù)
EP1,432,534B1公開了一種通過注入硅酸鹽預(yù)防處理衛(wèi)生水回路中的腐蝕、氧化和沉積的方法。將硅酸鈉溶液注入衛(wèi)生水系統(tǒng)中以限制管道內(nèi)的腐蝕。在衛(wèi)生水系統(tǒng)運(yùn)行的同時(shí),連續(xù)注入與水流量成比例的量,盡管其濃度保證符合食品標(biāo)準(zhǔn)。水中硅酸鹽的存在通過在管道內(nèi)表面上形成沉積的薄保護(hù)膜來減緩腐蝕。這種保護(hù)膜的存在限制了水和管道之間的化學(xué)交換。該方法可有效地處理所有易受腐蝕現(xiàn)象影響的材料,特別是鐵合金和銅合金。
通常,首先進(jìn)行診斷以提供待處理水系統(tǒng)狀況的描述。該診斷定義了管道的降解程度。根據(jù)管道的狀況,清潔它們可能是有用的,特別是去除氧化和水垢沉積物,所述的沉積物會(huì)堵塞管道,降低水質(zhì),加速管道因其存在而降解(特別是在縫隙腐蝕的情況下)和在處理步驟中阻礙適當(dāng)成膜的風(fēng)險(xiǎn)。
用于清潔管道的已知方法是注入酸以溶解管道內(nèi)的沉積物。該方法具有易于使用和有效的優(yōu)點(diǎn)。然而,在相對深度腐蝕的情況下,在銅的情況下,由于點(diǎn)腐蝕而可能存在管道的局部微穿孔,或者在鐵合金的情況下存在縫隙腐蝕。這些微穿孔通常被氧化和水垢沉積物本身阻擋,因此不會(huì)產(chǎn)生泄漏。在這些情況下,酸性清潔會(huì)溶解這些小“塞子”并出現(xiàn)微泄漏。
解決此問題的一種方法是識(shí)別受影響的管段并更換故障組件,或給故障組件安裝套筒。然而,這意味著一個(gè)非常漫長而復(fù)雜的操作,既要識(shí)別泄漏的位置(因?yàn)楣艿劳ǔT趬w內(nèi),且泄漏率很低),又要進(jìn)行修復(fù)。
與化學(xué)清潔有關(guān)的另一個(gè)問題是當(dāng)系統(tǒng)恢復(fù)運(yùn)行時(shí)水的著色(紅水,渾濁)現(xiàn)象。盡管有清潔產(chǎn)品的中和和在清潔之后進(jìn)行漂洗,但由于清潔而剝離的水管內(nèi)的氧化的非常快速的激活而導(dǎo)致的有色水的存在。
一旦清潔了管道,就可以通過連續(xù)注入硅酸鹽對其進(jìn)行處理以防止腐蝕。硅酸鹽濃度必須符合各國現(xiàn)行的法定食品標(biāo)準(zhǔn)。對于瑞士飲用水中的硅酸鹽,瑞士食品手冊(MSDA)和聯(lián)邦外來物質(zhì)法規(guī)(OSEC)提出了添加硅酸鹽的允許殘留值(用于防止腐蝕),常規(guī)處理為每升水5毫克硅(mg Si/L水),短期的(不超過3個(gè)月)為10mg Si/L水。雖然所有國家的食品標(biāo)準(zhǔn)都不盡相同,但瑞士的做法被認(rèn)為是人類健康的安全做法,可作為參考。在這些濃度下,硅酸鹽膜形成的速率可能太慢而不能形成足夠的保護(hù)層來解決上述問題。此外,上述層的形成速率難以控制并取決于各種參數(shù),特別是:
·消耗的水量;
·流量和流速;
·溫度-冷水中的沉積產(chǎn)率低于熱水中的沉積產(chǎn)率;
·我們稱之為環(huán)境參數(shù),例如水的成分,特別是其pH值和硬度,管道的組成材料以及其他現(xiàn)象,例如雜散電流的存在。因此,環(huán)境參數(shù)包括對上述層形成有影響但是不能由本發(fā)明控制的所有因素。
降解管道的粗糙表面狀況也會(huì)干擾足夠的保護(hù)膜的沉積,例如由于水流的局部擾動(dòng)。
專利EP1,432,534B1中提出的連續(xù)處理可能不足以去除或減少可能從衛(wèi)生水管遷移到飲用水的某些微污染物或病原體。這些微污染物和致病菌的可能來源是管道的各種組成部分,即:
-管道本身。
-與管道組裝有關(guān)的焊縫和接頭。
-液壓系統(tǒng)正常運(yùn)行所需的各種設(shè)備,如閥門,水龍頭或流量計(jì)。
不良的微污染物包括但不限于:
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