[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780023526.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109075051B | 公開(公告)日: | 2023-02-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 石井弘晃;武明勵(lì) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
本發(fā)明提供基板處理裝置以及基板處理方法,其目的在于,不僅使基板的周緣部的處理寬度變細(xì),而且還提高處理寬度的均勻性。為了達(dá)成該目的,本發(fā)明的基板處理裝置具有:保持構(gòu)件,設(shè)置成從下方將基板保持為大致水平,能夠使基板以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn);旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),能夠使保持構(gòu)件以旋轉(zhuǎn)軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn);其他構(gòu)件,與保持于保持構(gòu)件的基板的端面隔開間隔地沿基板的徑向配置于基板的外側(cè);以及噴嘴,以能夠落在至少一部分被包括于其他構(gòu)件的上表面的噴出目標(biāo)區(qū)域的方式從噴出目標(biāo)區(qū)域的上方噴出處理液。其他構(gòu)件與基板的端面之間的間隔設(shè)定為:落在噴出目標(biāo)區(qū)域的處理液流過其他構(gòu)件的上表面而從該上表面的旋轉(zhuǎn)軸側(cè)的內(nèi)側(cè)端排出,并從上方落在基板的上表面周緣部。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子顯示器用玻璃基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用玻璃基板、太陽能電池用基板等(以下,簡(jiǎn)稱為“基板”)進(jìn)行處理的基板處理裝置。
背景技術(shù)
作為這樣的基板處理裝置,專利文獻(xiàn)1公開了一種使將基板保持為水平的保持構(gòu)件和沿基板的周緣部與基板的端面隔開間隔地包圍基板的整周的環(huán)一起旋轉(zhuǎn)的同時(shí),以落在基板的上表面中央部的方式噴出處理液的裝置。該環(huán)表面具有親水性。在基板表面為疏水性的情況下,當(dāng)沒有設(shè)置該環(huán)時(shí),供給到基板的上表面中央部的處理液在離心力的作用下而從基板的中央部向周緣部擴(kuò)散時(shí)以放射狀不均勻地?cái)U(kuò)散。因此,無法均勻地向基板的上表面全體供給處理液。
因此,專利文獻(xiàn)1的裝置試圖通過利用親水性的環(huán)使從基板的中央部到達(dá)周緣部的處理液在基板的周緣部附近以膜狀擴(kuò)散,從而均勻地將處理液供給到上表面全體。
專利文獻(xiàn)2公開了一種基板處理裝置,該基板處理裝置具有:從下方將基板保持為水平并使基板旋轉(zhuǎn)的保持構(gòu)件;沿基板的周緣部與基板的端面隔開間隔地包圍基板的整周的環(huán);以及以能夠落在正在旋轉(zhuǎn)的基板的上表面中央部的方式噴出處理液的噴嘴。該環(huán)的防水性高于基板,并且保持不旋轉(zhuǎn)。在基板的表面為疏水性的情況下,如上所述,供給到上表面中央部的處理液在基板的周緣部附近以放射狀不均勻地?cái)U(kuò)散。然而,在專利文獻(xiàn)2的裝置中,當(dāng)處理液從基板的周緣部向外部排出時(shí),由于包圍基板的環(huán)阻礙處理液的流動(dòng),從而阻礙處理液的排出。由此,該裝置試圖通過將排出的處理液的一部分積存在基板上,而在基板上形成處理液的液膜并可靠地向整個(gè)基板的上表面區(qū)域供給處理液。
有時(shí),在基板的中央部設(shè)置用于形成器件圖案的器件區(qū)域,并在器件區(qū)域之外的周緣部進(jìn)行蝕刻等處理。專利文獻(xiàn)3公開了進(jìn)行這種基板的周緣部的處理的基板處理裝置。該裝置具有在基板的上方與基板表面相向的遮斷構(gòu)件,并在使基板在大致水平面內(nèi)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的同時(shí),從配置于遮斷構(gòu)件的周緣部的噴嘴向基板上表面的周緣部供給處理液,由此在基板上表面內(nèi)進(jìn)行周緣部的蝕刻處理。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-94836號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2010-157531號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開2008-47629號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
為了在基板的處理面中僅對(duì)周緣部中周緣側(cè)的窄區(qū)域進(jìn)行處理,需要僅向基板的處理面中該周緣側(cè)的窄區(qū)域供給處理液。然而,由于專利文獻(xiàn)1、2的基板處理裝置向基板的整個(gè)上表面供給處理液,因此存在無法僅向基板的處理面中該窄區(qū)域供給處理液的問題。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
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