[發明專利]微電子電極組合件

有效

• 申請號: 201780023108.4
• 申請日: 2017-01-27
• 公開（公告）號: CN109155198B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: A.拉德蒂納克;A.馬尼;P.科米辛斯基;L.阿爾夫;M.尼克法拉扎爾
• 申請（專利權）人: 達姆施塔特工業大學
• 主分類號: H01G7/06
• 分類號: H01G7/06;H01G4/12;H01L49/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳嵐

1.一種微電子電極組合件，具有布置在襯底上的第一電極，其中所述第一電極由薄電極層制成，所述薄電極層由第一電極材料所組成，其中所述第一電極材料是具有經驗式A_1±xB_1±yO_3±z或A_1+nB_n(O_1-aN_a)_3n+1的化合物，其中A是元素Ca、Sr或Ba中的至少一個或者這些元素的混合物，其中B是元素V、Nb、Ta、Cr、Mo或W中的至少一個或者這些元素的混合物，并且其中數值x、y、z和a每個能夠取大于等于0且小于等于1的值，以及數值n能夠取1與∞之間的值，且其中所述第一電極材料在與含氧化合物相接觸時是可氧化的，并且所述第一電極材料包括鈣鈦礦或鈣鈦礦衍生晶體結構，并且其中所述第一電極包括背向所述襯底的功能表面，在所述功能表面上能夠布置另外的層，并且具有由分隔層材料所組成的分隔層，所述分隔層覆蓋所述第一電極的所述功能表面，其中所述分隔層阻止所述功能表面的區域中的所述第一電極材料的氧化，所述氧化將修改所述第一電極的性質。

2.如權利要求1所述的電極組合件，其中在所述分隔層上布置電絕緣功能層，以及在所述電絕緣功能層上布置第二電極。

3.如權利要求2所述的電極組合件，其中所述電絕緣功能層具有可修改介電性質。

4.如權利要求2所述的電極組合件，其中所述分隔層包括分隔層固態晶格，以及所述功能層包括功能層固態晶格，其中所述分隔層固態晶格的晶格結構與所述功能層固態晶格的晶格結構匹配，使得所述功能層能夠外延沉積在所述分隔層上。

5.如權利要求1所述的電極組合件，其中所述第一電極材料是鈣鈦礦氧化物、鈣鈦礦氧氮化物或者鈣鈦礦基Ruddlesden-Popper結構。

6.如權利要求1所述的電極組合件，其中所述第一電極材料具有小于100 μΩm的電阻率。

7.如權利要求6所述的電極組合件，其中所述第一電極材料具有小于30 μΩm的電阻率。

8.如權利要求1所述的電極組合件，其中所述第一電極材料包括化合物SrMoO₃、BaMoO₃、SrVO₃、SrNbO₃或Sr₂MoO₄其中之一。

9.如權利要求1所述的電極組合件，其中所述分隔層是鈣鈦礦氧化物，并且包括具有經驗式A_1±xB_1±yO_3±z的化合物，其中A是元素Ca、Sr或Ba中的一個或者這些元素的混合物并且B是元素Ti、Zr或Hf中的一個或者這些元素的混合物，或者其中A是元素La、Pr、Dy、Tb、Sm、Nd或Gd中的至少一個或者這些元素的混合物并且B是元素Sc或Y中的至少一個或者這些元素的混合物，以及數值x、y和z每個能夠取大于等于0且小于等于1的值。

10.如權利要求9所述的電極組合件，其中所述分隔層包括化合物SrTiO₃、SrZrO₃、DyScO₃、GdScO₃或SrHfO₃其中之一。

11.如權利要求2所述的電極組合件，其中所述功能層包括具有經驗式Ba_xSr_1-xTi_1±yO_3±z，其中數值x、y和z每個能夠取大于等于0且小于等于1的值。