[發(fā)明專利]太陽能電池制造方法、用該方法制造的太陽能電池和襯底座有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780022814.7 | 申請日: | 2017-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN109155341B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | G·奇塔雷拉;H-P·斯皮爾里切;G·科勒;F·溫施;D·松塔格;H·梅利希;M·科尼格;P·帕佩 | 申請(專利權(quán))人: | 梅耶博格(德國)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;C23C14/00;C23C14/50;C23C16/458;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小東 |
| 地址: | 德國霍亨*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 襯底 | ||
1.一種太陽能電池(1)的制造方法,該太陽能電池具有異質(zhì)結(jié)、針對光入射設(shè)置的前側(cè)(15)和與所述前側(cè)(15)對置的背側(cè)(16),其中該方法具有以下步驟:
-提供第一傳導(dǎo)類型的晶體半導(dǎo)體襯底(2);
-在所述半導(dǎo)體襯底(2)的前側(cè)表面上形成至少一個第一無定形納晶和/或微晶半導(dǎo)體層或半導(dǎo)體層組(3,5),或是在形成與所述第一傳導(dǎo)類型相反的第二傳導(dǎo)類型的前側(cè)發(fā)射極情況下,或是在形成所述第一傳導(dǎo)類型的前側(cè)表面區(qū)位的情況下;
-在所述半導(dǎo)體襯底(2)的背側(cè)背面上形成至少一個第二無定形納晶和/或微晶半導(dǎo)體層或半導(dǎo)體層組(4,6),或是在形成所述第一傳導(dǎo)類型的背側(cè)表面區(qū)位情況下,或是在形成所述第二傳導(dǎo)類型的背側(cè)發(fā)射極情況下;
-在所述前側(cè)發(fā)射極或所述前側(cè)表面區(qū)位上形成至少一個導(dǎo)電透明的前側(cè)電極層(7),并且在所述背側(cè)表面區(qū)位或所述背側(cè)發(fā)射極上形成至少一個導(dǎo)電透明的背側(cè)電極層(8);
-形成前側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(9)以導(dǎo)電接觸所述前側(cè)發(fā)射極或所述前側(cè)表面區(qū)位;
-在形成所述前側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(9)之后,在前側(cè)上PECVD沉積非導(dǎo)電的透明介電前側(cè)覆層(11);和
-在所述背側(cè)電極層(8)上形成背側(cè)金屬化結(jié)構(gòu);
其特征是,為了沉積所述前側(cè)覆層(11)而采用不需要掩模的表面選擇性PECVD沉積或熱絲CVD,并且所述前側(cè)覆層(11)以這樣的厚度被沉積,使得所述前側(cè)覆層(11)緊接在其層沉積之后在沒有附加的熱處理和/或化學(xué)處理情況下只在環(huán)繞所述前側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(9)的區(qū)域上而沒有在所述前側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(9)上形成一個封閉層,
其中,所述導(dǎo)電透明的前側(cè)電極層(7)是TCO層,
為了形成所述前側(cè)接觸層格柵結(jié)構(gòu)(9)而選擇主要由銀或銅構(gòu)成的材料,并且該材料在采用膏糊情況下以指形結(jié)構(gòu)形式被印制;
為了沉積所述前側(cè)覆層(11),采用至少一個SiOx層、SiNx層、SiOxNy層或由至少兩種上述材料的組合物構(gòu)成的層或?qū)咏M;
所述前側(cè)覆層(11)在采用硅烷化合物情況下被沉積;并且
所述前側(cè)覆層(11)在50℃至250℃之間的溫度范圍內(nèi)被沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是,所述背側(cè)金屬化結(jié)構(gòu)的形成具有以下步驟:
-形成背側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(10)以便導(dǎo)電接觸所述背側(cè)發(fā)射極或所述背側(cè)表面區(qū)位;
-在形成所述背側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(10)之后,在背側(cè)上PECVD沉積非導(dǎo)電的透明介電背側(cè)覆層(12);
-其中為了所述背側(cè)覆層(12)的沉積而采用表面選擇性PECVD沉積,并且所述背側(cè)覆層(12)以這樣的厚度被沉積,使得所述背側(cè)覆層(12)緊接在其層沉積之后在沒有附加的熱處理和/或化學(xué)處理情況下僅在環(huán)繞所述背側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(12)的區(qū)域上而沒有在所述背側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(12)上形成一個封閉層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征是,在所述前側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(9)上,在采用所述前側(cè)覆層(11)的材料作為電鍍掩蔽層而沒有在先的結(jié)構(gòu)化和/或沒有至少部分去除該前側(cè)覆層(11)的情況下被電鍍沉積至少一個前側(cè)金屬接觸增厚層(13),和/或在所述背側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(10)上,在采用所述背側(cè)覆層(12)的材料作為電鍍掩蔽層而沒有在先的結(jié)構(gòu)化和/或至少部分去除所述背側(cè)覆層(12)情況下電鍍沉積至少一個背側(cè)金屬接觸增厚層(14)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征是,所述前側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(9)在所述前側(cè)覆層(11)沉積之前和/或所述背側(cè)金屬接觸層格柵結(jié)構(gòu)(10)在所述背側(cè)覆層(12)沉積之前通過退火被固化。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征是,所述前側(cè)覆層(11)和所述背側(cè)覆層(12)的形成在一個加工過程中在同一涂覆裝置內(nèi)先后緊接進(jìn)行。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





