[發(fā)明專利]發(fā)光模塊和具有發(fā)光模塊的顯示設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780022414.6 | 申請日： | 2017-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN109075183B | 公開（公告）日： | 2023-07-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 于爾根·莫斯布格爾;馬蒂亞斯·扎巴蒂爾;弗蘭克·辛格 | 申請（專利權(quán)）人： | 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15;H05B45/58;H05B45/30;H01L33/50;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;張春水 |
| 地址： | 德國雷*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 模塊 具有 顯示 設(shè)備 | ||
1.一種發(fā)光模塊(1)，其具有：
-多個(gè)發(fā)射區(qū)域，所述發(fā)射區(qū)域構(gòu)成為用于：在運(yùn)行中發(fā)射光，和所述發(fā)射區(qū)域包括至少一個(gè)第一類型的第一發(fā)射區(qū)域(101)和第一類型的第二發(fā)射區(qū)域(102)，所述第一類型的第一發(fā)射區(qū)域和所述第一類型的第二發(fā)射區(qū)域發(fā)射第一色坐標(biāo)的光，和所述發(fā)射區(qū)域包括至少一個(gè)第二類型的第一發(fā)射區(qū)域(201)和第二類型的第二發(fā)射區(qū)域(202)，所述第二類型的第一發(fā)射區(qū)域和所述第二類型的第二發(fā)射區(qū)域發(fā)射第二色坐標(biāo)的光；和
-用于對所述第一類型和所述第二類型的第一發(fā)射區(qū)域和第二發(fā)射區(qū)域通電的操控設(shè)備(2)，其中：
-所述第一類型的第一發(fā)射區(qū)域(101)和所述第一類型的第二發(fā)射區(qū)域(102)和所述第二類型的第一發(fā)射區(qū)域(201)和所述第二類型的第二發(fā)射區(qū)域(202)設(shè)置在共同的半導(dǎo)體芯片上，
-所述第一色坐標(biāo)與所述第二色坐標(biāo)不同，
-所述第一類型的第一發(fā)射區(qū)域(101)和所述第一類型的第二發(fā)射區(qū)域(102)彼此相鄰，
-所述第二類型的第一發(fā)射區(qū)域(201)和所述第二類型的第二發(fā)射區(qū)域(202)彼此相鄰，
-所述操控設(shè)備(2)構(gòu)成為用于：將全部所述第一類型的第一發(fā)射區(qū)域和第二發(fā)射區(qū)域和所述第二類型的第一發(fā)射區(qū)域和第二發(fā)射區(qū)域彼此分開地運(yùn)行，
-所述操控設(shè)備(2)構(gòu)成為用于：冗余地運(yùn)行所述第一類型的第一發(fā)射區(qū)域(101)和所述第一類型的第二發(fā)射區(qū)域(102)，
-所述操控設(shè)備(2)構(gòu)成為用于：冗余地運(yùn)行所述第二類型的發(fā)射區(qū)域(201)和所述第二類型的第二發(fā)射區(qū)域(202)，和
-所述操控設(shè)備(2)構(gòu)成為用于：檢測有缺陷的發(fā)射區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊(1)，其中所述操控設(shè)備(2)構(gòu)成為用于：不運(yùn)行有缺陷的發(fā)射區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光模塊(1)，其中所述操控設(shè)備(2)構(gòu)成為用于：所述第一類型和所述第二類型中的一種類型的第一發(fā)射區(qū)域的缺陷借助于運(yùn)行所述第一類型和所述第二類型中的相同類型的第二發(fā)射區(qū)域來補(bǔ)償。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光模塊(1)，其中所述操控設(shè)備(2)具有多個(gè)運(yùn)行狀態(tài)(B1，B2，B3，B4)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光模塊(1)，其中所述操控設(shè)備(2)在所述多個(gè)運(yùn)行狀態(tài)中的第一運(yùn)行狀態(tài)(B1)下運(yùn)行所述第一類型和所述第二類型中的相同類型的第一發(fā)射區(qū)域和第二發(fā)射區(qū)域，其中所述第一類型和所述第二類型的第一發(fā)射區(qū)域和第二發(fā)射區(qū)域都沒有缺陷。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光模塊(1)，其中所述發(fā)光模塊(1)具有至少一個(gè)第三類型的第一發(fā)射區(qū)域(301)和第三類型的第二發(fā)射區(qū)域(302)，所述第三類型的第一發(fā)射區(qū)域和所述第三類型的第二發(fā)射區(qū)域發(fā)射第三色坐標(biāo)的光。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光模塊(1)，其中所述操控設(shè)備(2)在所述多個(gè)運(yùn)行狀態(tài)中的第二運(yùn)行狀態(tài)(B2)下不運(yùn)行所述第一類型、所述第二類型或所述第三類型的第一發(fā)射區(qū)域，其中所述第一類型、所述第二類型或所述第三類型的該第一發(fā)射區(qū)域是有缺陷的，并且借助電流來運(yùn)行所述第一類型、第二類型和第三類型中的相同類型的第二發(fā)射區(qū)域，其中所述電流大于用于在所述多個(gè)運(yùn)行狀態(tài)中的第一運(yùn)行狀態(tài)(B1)下運(yùn)行所述第一類型、第二類型和第三類型中的相同類型的第二發(fā)射區(qū)域的電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光模塊(1)，其中所述操控設(shè)備(2)在所述多個(gè)運(yùn)行狀態(tài)中的第三運(yùn)行狀態(tài)(B3)下運(yùn)行所述第一類型、第二類型或第三類型的第一發(fā)射區(qū)域，并且不運(yùn)行所述第一類型、第二類型和第三類型中的相同類型的所述第二發(fā)射區(qū)域，其中所述第一類型、第二類型和第三類型的第一發(fā)射區(qū)域和所述第一類型、第二類型和所述第三類型的第二發(fā)射區(qū)域是沒有缺陷的。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
