[發明專利]模塊

有效

• 申請號: 201780021936.4
• 申請日: 2017-04-05
• 公開（公告）號: CN108885940B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: M.科伊尼;J.康拉德;G.屈格爾
• 申請（專利權）人: 埃普科斯股份有限公司
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/38;H01G4/40;H01G2/08;H01G4/008;H01G4/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 姬亞東;劉春元

1.一種模塊（1），具有：

功率半導體器件（2），和

陶瓷電容器（3），所述陶瓷電容器被設計用于冷卻所述功率半導體器件（2），

其中所述陶瓷電容器（3）和所述功率半導體器件（2）通過至少具有銀作為組分的層（7）來相互連接，

其中，所述陶瓷電容器是多層器件，在所述多層器件中陶瓷材料層和內電極交替相疊地堆疊，其中所述功率半導體器件包括上側，在所述上側上布置有所述陶瓷電容器，并且其中所述內電極垂直于所述功率半導體器件的上側。

2.根據權利要求1所述的模塊（1），

其中所述陶瓷電容器（3）具有鋯鈦酸鉛鑭陶瓷。

3.根據權利要求1至2之一所述的模塊（1），

其中所述陶瓷電容器（3）和所述功率半導體器件（2）通過其相互連接的層（7）至少99重量百分比由銀構成。

4.根據權利要求1至2之一所述的模塊（1），

其中所述陶瓷電容器（3）和所述功率半導體器件（2）通過其相互連接的層（7）以燒結方法制造。

5.一種模塊（1），具有：

功率半導體器件（2），和

陶瓷電容器（3），所述陶瓷電容器被設計用于冷卻所述功率半導體器件（2），

其中所述陶瓷電容器（3）具有鋯鈦酸鉛鑭陶瓷，

其中，所述陶瓷電容器是多層器件，在所述多層器件中陶瓷材料層和內電極交替相疊地堆疊，其中所述功率半導體器件包括上側，在所述上側上布置有所述陶瓷電容器，并且其中所述內電極垂直于所述功率半導體器件的上側。

6.根據權利要求5所述的模塊（1），

其中所述陶瓷電容器（3）形成載體，所述功率半導體器件（2）固定在所述載體上。

7.根據權利要求5所述的模塊（1），

其中所述陶瓷電容器（3）具有在場強為5kV/mm和10kV/mm之間的電場中具有大于2000的介電常數并且與至少150℃的溫度相容的陶瓷材料。

8.根據權利要求5所述的模塊（1），

其中所述陶瓷電容器（3）具有根據通式Pb_(1-1.5a+e)A_aB_b(Zr_1-xTi_x)_1-cC_eSi_cO₃ + y·PbO的陶瓷材料，其中A選自由La，Nd，Y，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er和Yb構成的組；C選自由Ni和Cu構成的組;并且

0 a 0.12

0.05≤x≤0.3

0≤c0.12

0.001 e 0.12

0≤y1。

9.根據權利要求5所述的模塊（1），

其中所述陶瓷電容器（3）是陶瓷多層器件并且具有內電極（5）。

10.根據權利要求9所述的模塊（1），

其中所述內電極具有大于100W / mK的導熱性。

11.根據權利要求9所述的模塊（1），

其中所述內電極具有銅。

12.根據權利要求5所述的模塊（1），

具有至少一個另外的功率半導體部件，其中所述陶瓷電容器（3）被設計用于冷卻所述至少一個另外的功率半導體部件（2）。

13.根據權利要求5所述的模塊（1），

具有至少一個另外的電容器，其中所述另外的電容器被設計用于冷卻所述功率半導體器件（2）。