[發明專利]半導體晶片

有效

• 申請號: 201780021775.9
• 申請日: 2017-04-07
• 公開（公告）號: CN109075224B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 小幡俊之
• 申請（專利權）人: 斯坦雷電氣株式會社
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L21/205;H01L33/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 南霆

1.一種半導體晶片，在藍寶石基板的一個面上具有包括n型層、活性層及p型層的元件層，其特征在于，

該元件層的表面翹曲成凸狀，其曲率為530km^-1以上800km^-1以下，

所述元件層由III族氮化物單晶層構成，

所述III族氮化物單晶層由滿足用AlxInyGazN表示的組分的AlGaInN層構成，其中，x、y、z是滿足0.3≤x≤1.0、0≤y≤0.7、0≤z≤0.7的有理數，x+y+z＝1.0。

2.根據權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于，

所述藍寶石基板的具有元件層的面是(0001)面。

3.根據權利要求1所述的半導體晶片，其特征在于，

在所述藍寶石基板的一個面上和元件層之間，具有由Alx1Iny1Gaz1N構成的緩沖層，其中，x1、y1、z1是滿足0.8≤x1≤1.0、0≤y1≤0.2、0≤z1≤0.2的有理數，x1+y1+z1＝1.0。

4.根據權利要求3所述的半導體晶片，其特征在于，

所述緩沖層至少具有第一緩沖層及第二緩沖層這兩層。

5.一種帶元件電路的半導體晶片，其特征在于，

在根據權利要求1～4中任意一項所述的半導體晶片的n型層上具有n電極，在p型層上具有p電極。

6.一種半導體發光元件的制備方法，其特征在于，

包括在制造了權利要求5所述的帶元件電路的半導體晶片之后將該帶元件電路的半導體晶片切割而作為半導體芯片的工序。

7.根據權利要求6所述的半導體發光元件的制備方法，其特征在于，

所述半導體發光元件是發光峰值波長在200～350nm范圍的紫外發光二極管。