[發(fā)明專利]對(duì)被處理物進(jìn)行處理的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780020009.0
• 申請(qǐng)日: 2017-03-27
• 公開（公告）號(hào): CN108885990B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 木原嘉英;久松亨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H05H1/46
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 吳倩

1.一種對(duì)被處理物進(jìn)行處理的方法，其中，所述被處理物具備被蝕刻層和設(shè)置在該被蝕刻層上的第1掩膜，該方法通過重復(fù)執(zhí)行第1序列，并除去所述被蝕刻層的表面的原子層，從而對(duì)該被蝕刻層進(jìn)行蝕刻，該第1序列包括：第1工序，通過在收容有所述被處理物的等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體并對(duì)設(shè)置于該處理容器的平行平板電極的上部電極施加負(fù)的直流電壓，從而對(duì)所述第1掩膜照射二次電子、并且從由該上部電極具備且含有硅的電極板釋放硅而用包含該硅的氧化硅化合物覆蓋該第1掩膜；第2工序，在執(zhí)行所述第1工序之后，在所述處理容器內(nèi)生成第1氣體的等離子體，且在所述被蝕刻層的表面的原子層形成含有該等離子體所包含的自由基的混合層；第3工序，在執(zhí)行所述第2工序之后，對(duì)所述處理容器內(nèi)的空間進(jìn)行吹掃；第4工序，在執(zhí)行所述第3工序之后，在所述處理容器內(nèi)生成第2氣體的等離子體，對(duì)該等離子體施加偏置電壓而除去所述混合層；及第5工序，在執(zhí)行所述第4工序之后，對(duì)所述處理容器內(nèi)的空間進(jìn)行吹掃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第1氣體包含氟碳系氣體和稀有氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第2氣體為稀有氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在執(zhí)行所述第1序列之前，還具備形成所述第1掩膜的工序，形成所述第1掩膜的所述工序具備第6工序和第7工序，在該第6工序和該第7工序中，對(duì)設(shè)置在所述被蝕刻層上的有機(jī)膜和設(shè)置在該有機(jī)膜上的防反射膜使用設(shè)置在該防反射膜上的第2掩膜進(jìn)行蝕刻處理，由此形成所述第1掩膜，所述第6工序中，對(duì)所述防反射膜進(jìn)行蝕刻，所述第7工序中，在執(zhí)行所述第6工序之后，對(duì)所述有機(jī)膜進(jìn)行蝕刻，所述第1掩膜通過執(zhí)行所述第6工序及所述第7工序而形成，且由所述防反射膜及所述有機(jī)膜形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第6工序具備如下工序：在所述處理容器內(nèi)，在所述第2掩膜的表面共形地形成保護(hù)膜；及在執(zhí)行共形地形成所述保護(hù)膜的所述工序之后，使用形成有該保護(hù)膜的所述第2掩膜，通過在所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體除去所述防反射膜的表面的原子層，并對(duì)該防反射膜進(jìn)行蝕刻。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第6工序還具備如下工序：在執(zhí)行共形地形成所述保護(hù)膜的所述工序之前，在所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體并對(duì)設(shè)置于所述處理容器的上部電極施加負(fù)的直流電壓，由此對(duì)所述第2掩膜照射二次電子。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，對(duì)所述第2掩膜照射二次電子的所述工序中，通過在所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體并對(duì)所述上部電極施加負(fù)的直流電壓，由此從所述電極板釋放硅而用包含該硅的氧化硅化合物覆蓋所述第2掩膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中，共形地形成所述保護(hù)膜的所述工序通過重復(fù)執(zhí)行第2序列，在所述第2掩膜的所述表面共形地形成所述保護(hù)膜，該第2序列包括：第8工序，向所述處理容器內(nèi)供給第3氣體；第9工序，在執(zhí)行所述第8工序之后，對(duì)所述處理容器內(nèi)的空間進(jìn)行吹掃；第10工序，在執(zhí)行所述第9工序之后，在所述處理容器內(nèi)生成第4氣體的等離子體；及第11工序，在執(zhí)行所述第10工序之后，對(duì)所述處理容器內(nèi)的空間進(jìn)行吹掃，其中，在所述第8工序中未生成所述第3氣體的等離子體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第3氣體包含含有有機(jī)物的氨基硅烷系氣體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第3氣體的氨基硅烷系氣體包含具有1～3個(gè)硅原子的氨基硅烷。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其中，所述第3氣體的氨基硅烷系氣體包含具有1～3個(gè)氨基的氨基硅烷。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第4氣體包含含有氧原子及碳原子的氣體。