[發(fā)明專利]生產(chǎn)鈣鈦礦鹵化物膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780019004.6 | 申請日: | 2017-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN108886067B | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱愷;楊孟錦;周圓圓;N·P·帕德圖爾 | 申請(專利權(quán))人: | 可持續(xù)能源聯(lián)合有限責(zé)任公司;布朗大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/0256 | 分類號: | H01L31/0256;H01L31/0224;H01L31/0445;H01L51/42;H01L51/44;H01G9/20 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 李躍龍 |
| 地址: | 美國科*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 生產(chǎn) 鈣鈦礦 鹵化物 方法 | ||
1.一種用于將第一鈣鈦礦轉(zhuǎn)化成第二鈣鈦礦的方法,包括將鈣鈦礦固體的第一陽離子的至少一部分與第二陽離子交換,其中通過將鈣鈦礦固體暴露于第二陽離子的前體來進(jìn)行交換,使得第二陽離子的前體氧化以形成第二陽離子且第一陽離子還原以形成第一陽離子的前體。
2.權(quán)利要求1所述的方法,其中通過將鈣鈦礦固體暴露于包含第二陽離子的前體的氣體來進(jìn)行所述交換。
3.權(quán)利要求2所述的方法,其中在0.1個(gè)大氣壓至5個(gè)大氣壓的壓力下利用所述氣體來進(jìn)行所述暴露。
4.權(quán)利要求3所述的方法,其中在100℃至300℃的溫度下進(jìn)行所述交換。
5.權(quán)利要求1所述的方法,其中所述鈣鈦礦固體包含顆粒或膜中的至少一種。
6.權(quán)利要求1所述的方法,其中鈣鈦礦固體包含ABX3,A包含所述第一陽離子或所述第二陽離子中的至少一種,B包含第三陽離子且X包含陰離子。
7.權(quán)利要求6所述的方法,其中所述第一陽離子包含甲基銨。
8.權(quán)利要求6所述的方法,其中所述第二陽離子包含甲脒鎓、胍鎓、乙脒鎓或乙基銨中的至少一種。
9.權(quán)利要求8所述的方法,其中所述第二陽離子包含甲脒鎓。
10.權(quán)利要求6所述的方法,其中所述第三陽離子包含2+價(jià)態(tài)的金屬。
11.權(quán)利要求10所述的方法,其中所述金屬包含鉛、錫或鍺中的至少一種。
12.權(quán)利要求6所述的方法,其中所述陰離子包含鹵素。
13.權(quán)利要求12所述的方法,其中所述鹵素包含氟、氯、溴或碘中的至少一種。
14.權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第二陽離子的前體包含甲酰亞胺酰胺、胍、乙脒或乙胺中的至少一種。
15.權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一陽離子的前體包含甲基氨。
16.權(quán)利要求1所述的方法,其中所述鈣鈦礦固體從甲基銨三碘化鉛轉(zhuǎn)化為甲脒三碘化鉛。
17.權(quán)利要求1所述的方法,其進(jìn)一步包括在交換之前,通過溶液沉積方法或氣相沉積方法中的至少一種形成鈣鈦礦固體。
18.權(quán)利要求2所述的方法,其進(jìn)一步包括通過使所述第二陽離子的前體的鹽前體與氫氧化物鹽反應(yīng)來產(chǎn)生所述氣體。
19.權(quán)利要求18所述的方法,其中第二陽離子的前體的鹽前體包含乙酸甲脒。
20.權(quán)利要求19所述的方法,其中所述氫氧化物鹽包含氫氧化鈉。
21.權(quán)利要求1所述的方法,其中第一陽離子包含有機(jī)陽離子。
22.權(quán)利要求21所述的方法,其中:
第一陽離子還包含無機(jī)陽離子,和
所交換的部分是有機(jī)陽離子。
23.一種包含鈣鈦礦膜的裝置,該鈣鈦礦膜包括通過根據(jù)權(quán)利要求1的方法制備的三碘化物、甲脒和鉛。
24.權(quán)利要求23所述的裝置,其中所述膜的厚度為10nm至3μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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