[發明專利]調節器電路有效
| 申請號: | 201780018481.0 | 申請日: | 2017-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN108885474B | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 小野貴史;持田禮司 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 呂文卓 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調節器 電路 | ||
調節器電路(200),具備:電壓檢測電路部(10),檢測輸出節點的輸出電壓的大小,輸出示出檢測結果的反饋電壓;誤差放大電路部(11),對基準電壓與所述反饋電壓進行比較,輸出比較結果的電壓;輸出電路部(12),按照所述誤差放大電路部的輸出,向所述輸出節點提供輸出電流;電流檢測電路部(16),檢測所述輸出電流的大小;以及電流偏置電路部(15),向所述輸出節點提供輸出偏置電流,根據所述電流檢測電路部的檢測結果,使所述輸出偏置電流增加或減少。
技術領域
本公開涉及調節器電路。
背景技術
說明以往的調節器電路。圖12A是示出專利文獻1所示的以往的調節器電路的結構的圖。調節器電路的輸出級的PMOS晶體管202,對負載提供充分的電流。偏置電壓Vbias,不依賴于環境而使NMOS晶體管204在飽和區工作。
圖12B是示出圖12A的調節器電路的對負載電流的輸出電壓的特性的圖。NMOS晶體管204在飽和區工作,因此,相對于負載電流的變化的輸出電壓的變動比較小。
如上所述,專利文獻1所示的以往的調節器電路,在輸出VREG,設置在飽和區工作的NMOS晶體管204,使一定的輸出偏置電流流動,從而提高輸出電流的最小值,抑制相對于負載電流的變化的輸出電壓變動。
(現有技術文獻)
(專利文獻)
專利文獻1:美國專利第8378654號說明書
但是,專利文獻1所示的以往的調節器電路中,與負載電流無關,而使一定的輸出偏置電流流動,因此存在的課題是,若負載電流變大,則與不使輸出偏置電流流動的情況相比,輸出電壓大幅度降低。
發明內容
本公開,鑒于所述課題,提供能夠抑制相對于負載電流的變化的輸出電壓的變動,并且,即使在負載電流大的情況下,也能夠抑制輸出電壓的降低的調節器電路。
為了題解所述課題,本公開的實施方案之一的調節器電路,具備:電壓檢測電路部,檢測輸出節點的輸出電壓的大小,輸出示出檢測結果的反饋電壓;誤差放大電路部,對基準電壓與所述反饋電壓進行比較,輸出比較結果的電壓;輸出電路部,按照所述誤差放大電路部的輸出,向所述輸出節點提供輸出電流;電流檢測電路部,檢測所述輸出電流的大小;以及電流偏置電路部,向所述輸出節點提供輸出偏置電流,根據所述電流檢測電路部的檢測結果,使所述輸出偏置電流增加或減少。
本公開的調節器電路,能夠抑制相對于負載電流的變化的輸出電壓的變動,并且,即使在負載電流大的情況下,也能夠抑制輸出電壓的降低。
附圖說明
圖1是示出實施例1的調節器電路的結構例以及周邊的電路的圖。
圖2是示出實施例1以及2的調節器電路的特性例的圖。
圖3是示出實施例1以及2的調節器電路的特性例的另一個例子的圖。
圖4是示出實施例2的調節器電路的結構例以及周邊的電路的圖。
圖5是示出實施例3的調節器電路的結構例以及周邊的電路的圖。
圖6是示出實施例3的調節器電路的特性例的圖。
圖7是示出能夠適用的箝位電路部的另一個例子的圖。
圖8是示出實施例4的調節器電路的結構例以及周邊的電路的圖。
圖9是示出AD轉換電路部的結構例的圖。
圖10是示出實施例4的調節器電路的特性例的圖。
圖11是示出實施例5的調節器電路的結構例以及周邊的電路的圖。
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