[發(fā)明專利]具有耐氯和氟等離子體侵蝕性的涂覆的半導體加工構件及其復合氧化物涂層

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780018052.3
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN108884546B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發(fā)明（設計）人: M·納伊姆;D·R·哈梅里克
• 申請（專利權）人: FM工業(yè)公司
• 主分類號: C23C4/11
• 分類號: C23C4/11;C23C4/134
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 湯國華

1.一種半導體加工構件，包括：

主體；

設置在所述主體上的等離子體噴涂涂層；

其中，所述涂層是ABO或ABCO復合氧化物固溶體組合物，所述涂層選自Yb₂Si₂O₇、La_1.5Ce_0.5Zr₂O₇、Ce_0.25Zr_0.75O₂和Ce_0.7Gd_0.3O₂，

所述涂層中任一痕量元素的含量小于50ppm，

由此，所述涂層賦予耐氯等離子體侵蝕性和耐氟等離子體侵蝕性，減少等離子體蝕刻期間的顆粒產生，并防止所述涂層在所述構件的濕清潔期間開裂。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體加工構件，其中，所述涂層選自La_1.5Ce_0.5Zr₂O₇、Ce_0.25Zr_0.75O₂和Ce_0.7Gd_0.3O₂。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體加工構件，其中，涂層中任一重金屬含量小于20ppm，任一堿金屬含量小于10ppm，F(xiàn)e、Ni和Cu含量各小于2ppm。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體加工構件，其中，主體是裸鋁合金主體。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體加工構件，其中，主體是陽極氧化鋁合金主體。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體加工構件，其中，所述涂層的最外表面具有80～150μin的表面粗糙度Ra，所述表面的峰谷比Rp/Rv在0.30～0.60的范圍內。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體加工構件，進一步包含在涂層和主體之間的粘合層，以提高所述涂層的拉伸粘合強度。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體加工構件，其中，所述粘合層選自(1)Si和(2)共相完全穩(wěn)定的氧化鋯和Y₂O₃。

9.根據(jù)權利要求1所述的半導體加工構件，其中，所述涂層減少半導體工具中工作晶片的污染，使得在晶片上測得的Na的量小于1x 10¹⁴原子/cm²。

10.一種用于半導體加工構件的等離子體噴涂涂層，其中，所述涂層選自La_1.5Ce_0.5Zr₂O₇、Ce_0.25Zr_0.75O₂和Ce_0.7Gd_0.3O₂固溶體，

其中，所述涂層中任一痕量元素的含量小于50ppm，

由此，所述涂層賦予耐氯等離子體侵蝕性和耐氟等離子體侵蝕性，減少等離子體蝕刻期間的顆粒產生，并防止所述涂層在濕清潔期間開裂。

11.根據(jù)權利要求10所述的等離子體噴涂涂層，其中，所述涂層中任一重金屬含量小于20ppm，任一堿金屬含量小于10ppm，F(xiàn)e、Ni和Cu含量各小于2ppm。

12.根據(jù)權利要求10所述的等離子體噴涂涂層，其中，所述涂層的最外表面具有80～150μin的表面粗糙度Ra，所述表面的峰谷比Rp/Rv在0.30～0.60的范圍內。