[發(fā)明專利]清潔度評價方法、清洗條件決定方法、和硅晶圓的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780016301.5
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN109313162B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 村松崇志;加藤宏和
• 申請（專利權(quán)）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: G01N27/626
• 分類號: G01N27/626;C30B29/06;H01L21/304
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 郭煜;魯煒

提供具有碳化硅表面的部件的清潔度評價方法，其包括：使前述碳化硅表面與氫氟酸、鹽酸和硝酸的混酸接觸；通過加熱濃縮與前述碳化硅表面接觸的混酸；將通過前述濃縮而得到的濃縮液稀釋從而得到試樣溶液，將所得試樣溶液供于利用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀的金屬成分的定量分析；和，基于通過前述定量分析而得到的金屬成分定量結(jié)果，評價前述具有碳化硅表面的部件的清潔度。

相關(guān)申請的相互參照

本申請要求2016年3月28日提交的日本特愿2016-064071號的優(yōu)先權(quán)，其全部記載在此特別地以公開方式加以援用。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及清潔度評價方法、清洗條件決定方法、和硅晶圓的制造方法。詳細而言，本發(fā)明涉及具有碳化硅表面的部件的清潔度評價方法、具有碳化硅表面的部件的清洗條件決定方法、和硅晶圓的制造方法。

背景技術(shù)

碳化硅(SiC)一般而言被稱為耐熱性、化學(xué)耐久性等優(yōu)異的材料。因此，碳化硅在各種技術(shù)領(lǐng)域中，廣泛用作構(gòu)成各種各樣部件的材料。作為一個例子，硅晶圓(以下也稱為“晶圓”)的制造領(lǐng)域中，進行通過碳化硅覆蓋在切片而形成硅晶圓的單晶硅錠的制造中使用的提拉機的內(nèi)部部件(熱屏蔽部件等)、熱處理時載置硅晶圓的部件(基座(susceptor)、晶圓舟皿等)的表面，或者使部件整體由碳化硅構(gòu)成等。以下，將表面的至少一部分為碳化硅的部件、即具有碳化硅表面(SiC表面)的部件記載為“碳化硅系部件”。

關(guān)于碳化硅系部件，為了減少來自碳化硅系部件的金屬污染，進行清洗碳化硅系部件(參照例如日本特開2010-4073號公報和日本特開2000-169233號公報(其全部記載在此特別地以公開的方式加以援用))。

發(fā)明內(nèi)容

例如針對硅晶圓，硅晶圓的金屬污染對使用該晶圓制作的設(shè)備特性造成影響，因此要求減少所述金屬污染。作為硅晶圓的金屬污染的一個原因，可以舉出：單晶硅錠、硅晶圓的制造工序中與晶圓接觸的部件被金屬污染，其結(jié)果是，金屬元素從該部件向氛圍中擴散從而被并入于單晶硅錠或硅晶圓中，或者硅晶圓因與該部件接觸而被金屬污染。因此，在包括使用碳化硅系部件的工序的硅晶圓制造工序中，期望清洗碳化硅系部件從而減少碳化硅系部件的金屬污染。進一步，更期望的是，研究評價碳化硅系部件是否處于通過清洗而充分減少了金屬污染的清潔狀態(tài)，假使清潔度不充分，則變更清洗條件等。針對用于上述的碳化硅系部件的清潔度評價方法，要求能夠高精度地評價碳化硅系部件的金屬污染。

本發(fā)明的一個方式提供用于高精度地評價碳化硅系部件的金屬污染的手段。

本發(fā)明的一個方式涉及清潔度評價方法，

其為具有碳化硅表面的部件(碳化硅系部件)的清潔度評價方法，其包括：

使上述碳化硅表面與氫氟酸、鹽酸和硝酸的混酸接觸；

通過加熱濃縮與上述碳化硅表面接觸的混酸；

將通過上述濃縮而得到的濃縮液稀釋從而得到試樣溶液，將所得試樣溶液供于利用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry；ICP-MS)的金屬成分的定量分析；和

基于通過上述定量分析而得到的金屬成分定量結(jié)果，評價上述具有碳化硅表面的部件的清潔度。

一個方式中，上述混酸中，氫氟酸的濃度為5~15質(zhì)量%的范圍，鹽酸的濃度為5~15質(zhì)量%的范圍，且硝酸的濃度為5~15質(zhì)量%的范圍。

一個方式中，上述試樣溶液通過對利用上述濃縮而得到的濃縮液添加氫氟酸和過氧化氫而稀釋從而制備。

一個方式中，上述具有碳化硅表面的部件是硅晶圓制造用部件。

一個方式中，上述硅晶圓制造用部件是基座。

本發(fā)明的進一步的方式涉及清洗條件決定方法，