[發明專利]抗蝕劑下層膜形成用組合物及使用了該組合物的抗蝕劑圖案的形成方法有效
| 申請號： | 201780015920.2 | 申請日： | 2017-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN108713164B | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發明（設計）人： | 緒方裕斗;臼井友輝;田村護;岸岡高廣 | 申請（專利權）人： | 日產化學工業株式會社 |
| 主分類號： | G03F7/11 | 分類號： | G03F7/11;G03F7/09;G03F7/20;H01L21/027;C08G63/58;C08G63/688 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 段承恩;孫麗梅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抗蝕劑 下層 形成 組合 使用 圖案 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含具有下述式(1)所示的結構單元的共聚物、交聯性化合物、交聯催化劑和溶劑，
式中，R1和R2各自獨立地表示碳原子數1～3的亞烷基，Z表示-O-基、-S-基或-S-S-基，Ar表示亞苯基或亞萘基，
所述交聯性化合物為選自具有至少2個結合有羥基甲基或烷氧基甲基的氮原子的含氮化合物、具有至少2個羥基甲基或烷氧基甲基的芳香族化合物、具有至少2個環氧基的化合物、以及具有至少2個封閉異氰酸酯基的化合物中的至少一種化合物。
2.根據權利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其還包含表面活性劑。
3.根據權利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述共聚物的重均分子量為1000～10,000。
4.根據權利要求1所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，在上述式(1)所示的結構單元中，Z表示-O-基。
5.一種方法，其具有下述工序：
在表面具有凹部的基板上，涂布權利要求1～4中任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物的工序；和
通過將所述抗蝕劑下層膜形成用組合物進行烘烤，來形成至少將所述凹部內填埋的抗蝕劑下層膜的工序。
6.根據權利要求5所述的方法，其還具有下述工序：在所述抗蝕劑下層膜上形成光致抗蝕劑圖案的工序。
7.根據權利要求5所述的方法，所述基板是具有寬度為0.01μm～0.10μm且長寬比為5～10的溝槽的半導體基板。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于日產化學工業株式會社，未經日產化學工業株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780015920.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
