[發明專利]在去夾持步驟期間移除靜電夾盤上的殘余電荷的方法有效
| 申請號: | 201780015690.X | 申請日: | 2017-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN108886013B | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發明(設計)人: | 小溫德爾·G·博伊德;湯姆·K·崔;羅伯特·T·海拉哈拉 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 夾持 步驟 期間 靜電 夾盤上 殘余 電荷 方法 | ||
1.一種基板支撐件,包含:
本體,具有形成在工件支撐表面中的一個或多個孔,所述工件支撐表面經構造以在所述工件支撐表面上接收基板;
電極,設置在所述本體中,且經構造以將所述基板靜電保持到所述工件支撐表面;
輻射發射器,設置在形成于所述工件支撐表面中的所述一個或多個孔的第一孔中,所述輻射發射器經構造以從所述第一孔發射電磁能;及
擴散器,設置在所述第一孔中并位于所述輻射發射器上方,
其中所述電磁能在從700nm至900nm的波長的連續光譜波長范圍內發射,
其中所述電磁能穿過所述擴散器以將所述電磁能擴散在所述工件支撐表面上,
其中所述本體由暴露于所述電磁能時能夠被激發為導電狀態或半導電狀態的材料制成,使得所述電磁能是可操作的以增加所述工件支撐表面的導電率,從而將所述工件支撐表面上的殘余電荷傳導遠離所述工件支撐表面。
2.根據權利要求1所述的基板支撐件,其中所述本體由陶瓷形成。
3.根據權利要求1所述的基板支撐件,其中所述本體由AlN或摻雜有氧的AlN形成。
4.根據權利要求1所述的基板支撐件,其中所述輻射發射器設置在升降銷中。
5.根據權利要求1所述的基板支撐件,進一步包含:
電磁能源,耦合到所述輻射發射器,其中所述電磁能源經構造以產生所述電磁能。
6.根據權利要求1所述的基板支撐件,進一步包含:
第二電極。
7.根據權利要求1所述的基板支撐件,其中所述第一孔是背側氣體輸送孔。
8.一種處理腔室,包含:
腔室本體,具有腔室蓋、腔室壁和腔室底部,其中所述腔室本體包圍腔室內部容積;
噴頭,設置在所述腔室內部容積中;
基板支撐件,設置在所述腔室內部容積中;及
輻射發射器,設置在所述噴頭,所述蓋或基板支撐件的一個中,所述輻射發射器經構造以在照射或反射到所述基板支撐件的工件支撐表面上的方向上發射電磁能,
其中所述電磁能在從700nm至900nm的波長的連續光譜波長范圍內發射,
其中所述基板支撐件的本體由暴露于所述電磁能時能夠被激發為導電狀態或半導電狀態的材料制成,使得所述電磁能是可操作的以增加所述工件支撐表面的導電率,從而將所述工件支撐表面上的殘余電荷傳導遠離所述工件支撐表面。
9.根據權利要求8所述的處理腔室,進一步包含:
擴散器,設置在所述輻射發射器上方。
10.根據權利要求8所述的處理腔室,其中所述基板支撐件由陶瓷材料形成。
11.根據權利要求10所述的處理腔室,進一步包含:
電磁能源,耦合到所述輻射發射器,其中所述電磁能源經構造以產生所述電磁能。
12.根據權利要求8所述的處理腔室,其中所述輻射發射器設置在升降銷中,所述升降銷設置在所述基板支撐件中。
13.根據權利要求8所述的處理腔室,其中所述輻射發射器設置背面輸送孔中,所述背面輸送孔設置在所述基板支撐件中。
14.一種用于在基板支撐件上對殘余電荷進行放電的方法,包含以下步驟:
通過所述基板支撐件的工件支撐表面發射電磁能,其中所述電磁能在從700nm至900nm的波長的連續光譜波長范圍內發射;
將所述電磁能反射到所述基板支撐件的所述工件支撐表面上,其中所述基板支撐件的本體由暴露于所述電磁能時能夠被激發為導電狀態或半導電狀態的材料制成;及
提供暴露于經反射的所述電磁能而增加所述基板支撐件的所述工件支撐表面的導電率,以將所述工件支撐表面上的殘余電荷傳導遠離所述工件支撐表面。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





