[發(fā)明專利]通過使用電壓檢測器和信號熔絲保護MOSFET繼電器的裝置和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780015371.9 | 申請日： | 2017-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN108780992A | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋炫振;李昌馥;崔良林 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社LG化學 |
| 主分類號： | H02H7/20 | 分類號： | H02H7/20;H02H3/20;G01R19/165;G01R19/00;G01R1/20;B60L15/22;B60L11/18 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 穆森;戚傳江 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 繼電器 熔絲 檢測器 使用電壓 電壓檢測器 操作信號 計算檢測 電傳導(dǎo) 主電路 閾值時 燒毀 電池 施加 | ||
本發(fā)明涉及一種用于通過使用電壓檢測器和信號熔絲保護MOSFET繼電器的裝置和方法，其根據(jù)設(shè)置在用于車輛的電池主電路中的MOSFET繼電器的電傳導(dǎo)電流值，通過電壓檢測器來計算檢測電壓值，并且當計算的電壓值大于預(yù)定的閾值時，通過操作信號熔絲，預(yù)阻斷施加到MOSFET繼電器的電流，以保護MOSFET繼電器不被燒毀。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請要求于2016年4月11日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2016-0044285的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用合并在此。
本發(fā)明涉及一種通過使用電壓檢測器和信號熔絲保護MOSFET繼電器的裝置和方法，并且更具體地說，涉及如下一種通過使用電壓檢測器和信號熔絲保護MOSFET繼電器的裝置和方法，其根據(jù)設(shè)置在用于車輛的電池主電路中的MOSFET繼電器的電傳導(dǎo)電流值，通過電壓檢測器來計算檢測電壓值，并且當計算的電壓值大于預(yù)定的閾值時，通過操作信號熔絲，預(yù)阻斷施加到MOSFET繼電器的電流，以保護MOSFET繼電器不被燒毀。
背景技術(shù)
通常，在通過使用從電池輸出的能量作為動力源而行進的插電式混合動力電動車輛(PHEV)的情況下，有必要通過驅(qū)動車輛電動機對內(nèi)部電池充電，并且在這種情況下，稱為繼電器的元件被用于施加在充電源和電池之間流動的電流或者阻斷充電源和電池之間的電流。
此外，當在其中電動車輛的內(nèi)部電路上流動大于閾值的過電流的情況下需要保護各種元件時，繼電器的狀態(tài)從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範顟B(tài)，并且結(jié)果，電路上的電流被阻斷以保護各種元件。
同時，在電動車輛中，在繼電器的情況下，特別是在機械繼電器的情況下，由于焊接存在諸如頻繁的噪聲產(chǎn)生和頻繁維護的問題。因此，為了解決這些問題，通過使用作為半導(dǎo)體器件的金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管(MOSFET)代替機械繼電器來實現(xiàn)和應(yīng)用繼電器。
在這種情況下，因為存在如下?lián)模捎谄骷奶匦裕斒┘舆^電流(例如，1000A或更高的電流)時，MOSFET繼電器可能會燒毀或損壞，因此，要求有單獨的阻擋裝置，其能夠防止燃燒或損壞，但是在現(xiàn)有技術(shù)中，因為不存在能夠保護MOSFET繼電器本身不被燒毀的單獨的阻擋裝置，所以燒毀的MOSFET繼電器需要每次更換為新的MOSFET繼電器。
因此，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)明一種通過使用電壓檢測器和信號熔絲保護MOSFET繼電器的裝置和方法，其根據(jù)設(shè)置在用于車輛的電池主電路中的MOSFET繼電器的電傳導(dǎo)電流值，通過電壓檢測器來計算檢測電壓值，并且當計算的電壓值大于預(yù)定閾值時，通過操作信號熔絲，預(yù)阻斷施加到MOSFET繼電器的電流，以保護MOSFET繼電器不被燒毀，以便于解決現(xiàn)有技術(shù)中通過MOSFET繼電器實現(xiàn)的電路的問題。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
本發(fā)明旨在解決該問題，并且本發(fā)明已經(jīng)致力于提供一種通過使用電壓檢測器和信號熔絲保護MOSFET繼電器的裝置和方法，其根據(jù)設(shè)置在用于車輛的電池主電路中的MOSFET繼電器的電傳導(dǎo)電流值，通過電壓檢測器來計算檢測電壓值，并且當計算的電壓值大于預(yù)定閾值時，通過操作信號熔絲，預(yù)阻斷施加到MOSFET繼電器的電流，以保護MOSFET繼電器不被燒毀。
技術(shù)解決方案
在根據(jù)本發(fā)明的實施例當中，一種用于保護MOSFET繼電器的裝置可以包括：電壓檢測器，該電壓檢測器計算被電傳導(dǎo)到電阻器的電流的電壓值并且確定電壓值是否大于閾值；和短路單元，該短路單元根據(jù)電壓檢測器的確定結(jié)果使電路上的熔絲短路。
在實施例中，當熔絲被短路時，電傳導(dǎo)到被連接到電阻器的MOSFET繼電器的電流可以被阻斷。
在實施例中，電壓檢測器可以包括：運算放大器(OP Amp)，該運算放大器放大電壓值并且輸出放大的電壓值；和比較器，該比較器確定放大的電壓值是否大于預(yù)定的閾值放大電壓值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社LG化學，未經(jīng)株式會社LG化學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780015371.9/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
