[發(fā)明專利]多孔質(zhì)支撐體、多孔質(zhì)支撐體的制造方法、分離膜結(jié)構(gòu)體以及分離膜結(jié)構(gòu)體的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780015295.1
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN108883377B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 宮原誠;谷島健二
• 申請（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: B01D69/10
• 分類號: B01D69/10;B01D69/00;B01D69/12;C04B38/00;C04B41/85
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

多孔質(zhì)支撐體(20)具備基材(30)、支撐層(32)、以及最表層(33)。支撐層(32)配置在基材(30)與最表層(33)之間并與最表層(33)相接觸。最表層(33)的氣孔率(A)相對于支撐層(32)的氣孔率(B)的比值(A/B)為1.08以上。最表層(33)的厚度(C)相對于支撐層(32)的厚度(D)的比值(C/D)為0.9以下。

技術領域

本發(fā)明涉及多孔質(zhì)支撐體、多孔質(zhì)支撐體的制造方法、分離膜結(jié)構(gòu)體以及分離膜結(jié)構(gòu)體的制造方法。

背景技術

以往，已知如下分離膜結(jié)構(gòu)體，其具備多孔質(zhì)支撐體和形成在表層上的分離膜，該多孔質(zhì)支撐體由基材、形成在基材上的中間層以及形成在中間層上的表層構(gòu)成(參見專利文獻1)。為了使多孔質(zhì)支撐體的強度和分離膜的成膜性得到提高，使中間層的平均細孔徑小于基材的平均細孔徑，并且，使表層的平均細孔徑小于中間層的平均細孔徑。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2013/059146號

發(fā)明內(nèi)容

但是，如果使表層的平均細孔徑減小，則表層的氣孔率容易減小，因此，透過了分離膜的成分從分離膜流向表層的通路的條數(shù)變少。結(jié)果，存在如下問題：分離膜的有效面積減少，從而分離膜的透過量降低。

本發(fā)明是為了解決上述課題而實施的，其目的在于提供一種能夠維持強度且提高分離膜的透過量的多孔質(zhì)支撐體、多孔質(zhì)支撐體的制造方法、分離膜結(jié)構(gòu)體以及分離膜結(jié)構(gòu)體的制造方法。

本發(fā)明所涉及的多孔質(zhì)支撐體具備基材、支撐層、以及最表層。支撐層配置在基材與最表層之間并與最表層相接觸。最表層的氣孔率相對于支撐層的氣孔率的比值為1.08以上。最表層的厚度相對于支撐層的厚度的比值為0.9以下。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可以提高分離膜的透過量的多孔質(zhì)支撐體、多孔質(zhì)支撐體的制造方法、分離膜結(jié)構(gòu)體以及分離膜結(jié)構(gòu)體的制造方法。

附圖說明

圖1是分離膜結(jié)構(gòu)體的立體圖。

圖2是圖1的A－A截面圖。

圖3是圖2的B－B截面圖。

圖4是圖3的局部放大圖。

具體實施方式

接下來，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行說明。以下的附圖的記載中，對相同或類似的部分標記相同或類似的符號。但是，附圖是示意圖，各尺寸的比率等有時與實際上的比率不同。因此，具體的尺寸等應當考慮以下的說明進行判斷。另外，當然附圖彼此之間還包含彼此的尺寸的關系、比率不同的部分。

以下的實施方式中，“整體(monolithic)”是指具有長度方向上形成的多個連通孔的形狀，是包含蜂窩形狀的概念。

(分離膜結(jié)構(gòu)體10的構(gòu)成)

圖1是分離膜結(jié)構(gòu)體10的立體圖。圖2是圖1的A－A截面圖。

分離膜結(jié)構(gòu)體10具備：多孔質(zhì)支撐體20、第一密封部21、第二密封部22以及分離膜23。

多孔質(zhì)支撐體20為整體形狀的多孔體。多孔質(zhì)支撐體20的長度沒有特別限制，例如可以為150mm～2000mm。多孔質(zhì)支撐體20的直徑?jīng)]有特別限制，例如可以為30mm～220mm。但是，多孔質(zhì)支撐體20的外形并不限于整體形狀，也可以為平板形狀、管形狀、圓筒形狀、圓柱形狀、以及棱柱形狀等。

多孔質(zhì)支撐體20具有第一端面S1、第二端面S2以及側(cè)面S3。第一端面S1設置于第二端面S2的相反側(cè)。側(cè)面S3與第一端面S1和第二端面S2的外緣相連。多孔質(zhì)支撐體20具有與第一端面S1和第二端面S2相連的多個連通孔TH。多個連通孔TH在多孔質(zhì)支撐體20的長度方向上延伸。